[发明专利]防护膜框架和防护膜组件

说明书

本发明提供：一种能够有效地抑制因贴附防护膜组件(1)而引起的曝光原版(8)的变形、且不具有复杂形状的防护膜框架(2)；使用该防护膜框架的防护膜组件；以及，能够降低在聚光灯下表面晃眼的缺陷、且为了容易地进行使用前的异物附着检查等而黑色化的防护膜框架的制造方法。一种防护膜框架，其特征在于：在铝合金制框架的表面具有阳极氧化膜，该铝合金制框架由铝合金构成，该铝合金含有5.0～10.0质量％的Ca且剩余部分为铝和不可避免的杂质，该铝合金中作为分散相的Al₄Ca相的面积(体积)率为25％以上，该Al₄Ca相的一部分的晶体结构是单斜晶，并且，分散于阳极氧化膜的Al₄Ca相被阳极氧化，阳极氧化膜被黑色染料染色。

技术领域

本发明涉及用于LSI等的半导体装置和液晶显示板的制造的光刻用掩模的防护膜组件(pellicle)所使用的框架(pellicle frame)，更具体而言，涉及在需要高分辨率的曝光中也能够合适地使用的防护膜框架以及使用了该防护膜框架的防护膜组件。

背景技术

在LSI以及超LSI等的半导体装置或液晶显示板的制造中，通过对半导体晶片、液晶用母掩模照射光而形成图案(利用光刻形成图案)。这时，若使用附着有灰尘的曝光原版的话，该灰尘会吸收光和/或使光反射，因此，无法良好地转印图案(例如，会发生图案变形或边缘不清楚)。其结果，存在如下问题：半导体装置、液晶显示板的品质和外观等受损，导致性能、制造成品率的降低等。

因此，关于光刻的工序通常在洁净室进行，但是在该环境下也不能完全防止灰尘对曝光原版的附着，因此，一般在曝光原版的表面设置用于防止灰尘的防护膜组件。防护膜组件由防护膜框架和贴设于该防护膜框架的防护膜构成，以包围形成于曝光原版的表面的图案区域的方式设置。在进行光刻时，只要使焦点聚光于曝光原版的图案上的话，即使在防护膜上附着有灰尘的情况下，该灰尘也不会对转印产生影响。

这里，已知：对于该防护膜框架，为了防止来自光源的光的反射并得到清楚的图案转印像，或者为了使使用前的异物附着检查等变得容易等，通常对铝材进行阳极氧化处理后进行黑色化，例如，在阳极氧化膜的孔中浸透有机染料等而形成为黑色的方法。

近年来，LSI的图案的微细化正在迅速地发展，与此相对应地，曝光光源也向短波长方向发展。具体而言，正在发生从目前主流的利用汞灯的g线(436nm)、i线(365nm)向KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等的转变，对曝光原版和硅晶片所要求的平坦性也更为严格。

防护膜组件是为了在曝光原版完成后防止灰尘附着于图案上而贴附于曝光原版。将防护膜组件贴附于曝光原版时，有时曝光原版会变形、其平坦度会发生变化，并且伴随着曝光原版的平坦度的降低而可能会发生焦点错位等的问题。若曝光原版的平坦度发生变化，则曝光原版上描绘的图案的形状也会发生变化，曝光原版的重合精度将降低。这里，已知：贴附防护膜框架时的变形应力将大大地影响到由于防护膜组件的贴附而引起的曝光原版的平坦度的变化。应力以体积弹性模量与刚性模量的积表示，为了减小应力，减小防护膜框架的平坦度并减小体积弹性模量是有效的。另外，刚性模量以截面二次矩与杨氏模量的积表示，通过降低防护膜框架的高度、减小截面二次矩、或者减小防护膜框架的杨氏模量，能够有效地减小刚性模量。

对此，例如，在专利文献1(日本特开2011－7934号公报)中公开了一种防护膜框架，其特征在于：防护膜框架棒的截面为，在上边和下边平行的基本四边形的两侧边具有四边形状的凹陷的形状。

上述专利文献1所述的防护膜框架中，通过使防护膜框架的截面面积小于基本四边形，能够实现变形应力小的防护膜框架，因此，即使将防护膜贴附于曝光原版，也能够尽量降低由于防护膜框架的变形而引起的曝光原版的变形。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2011－7934号公报

发明内容