[发明专利]细胞共培养芯片及其制备方法

权利要求书

1.微流体细胞培养芯片，其包含中央模块(104)，该中央模块包括：

-中央单元(105)，其包含

-由不可吸收性膜组成的支撑件(1)，所述支撑件包括由至少一个穿孔(4)穿过的上表面(2)和下表面(3)，

-3D纳米结构化多孔膜(5)，所述3D纳米结构化多孔膜包括上表面(6)和下表面(7)，并且包括至少一个突起(8)，所述至少一个突起包括外表面(9)和内表面(10)，并且在所述3D纳米结构化多孔膜(5)的上表面(6)一侧上形成浮雕结构，所述突起为具有圆形基底(13)的中空圆顶的形状，

所述3D纳米结构化多孔膜(5)的所述下表面(7)被定位为固定于所述支撑件(1)的所述上表面(2)，

或者所述3D纳米结构化多孔膜(5)的所述上表面(6)被定位为固定于所述支撑件(1)的所述下表面(3)，

并且所述3D纳米结构化多孔膜(5)和所述至少一个突起(8)由适于培养两种不同细胞类型的材料构成；

-基底(106)，

所述中央单元(105)集成在所述基底(106)中，并与所述基底(106)形成整体。

2.根据权利要求1所述的微流体细胞培养芯片，其中，所述3D纳米结构化多孔膜(5)的所述下表面(7)被定位为固定至所述支撑件(1)的所述上表面(2)。

3.根据权利要求1所述的微流体细胞培养芯片，其中，所述3D纳米结构化多孔膜(5)的所述上表面(6)被定位为固定至所述支撑件(1)的所述下表面(3)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微流体细胞培养芯片，所述支撑件(1)由生物印刷塑料、聚碳酸酯、组织培养塑料、玻璃或SU8组成。

5.根据权利要求1所述的微流体细胞培养芯片，其中所述支撑件(1)的所述至少一个穿孔(4)具有：

位于所述支撑件(1)的上表面即所述穿孔的上部分(11)的圆形部分，所述上部分具有直径d1，即所述穿孔的上部直径d1，和穿过所述穿孔(4)的所述上部分(11)的中心并垂直于所述支撑件(1)的轴(x)，以及

在所述支撑件(1)的下表面(3)，即所述穿孔的下部分(12)处的圆形部分，所述下部分具有直径d2，即所述穿孔的下部直径d2，和穿过所述穿孔的所述下部分的中心并垂直于所述支撑件(1)的轴(w)，其中所述轴(x)和轴(w)重合，

所述穿孔的上部直径d1的值的范围从大于或等于10μm到小于或等于500μm，所述穿孔的下部直径d2的值的范围从大于或等于10μm到小于或等于500μm，

以使所述穿孔的下部直径d2的值大于或等于所述穿孔的上部直径d1的值，

并且其中所述突起(8)的所述圆形基底(13)具有直径d3，即所述突起的圆形基底的直径d3，所述突起(8)的直径d3的值的范围从10μm到500μm，并且小于、等于或大于d1的值，以及所述突起具有1μm到600μm的高度。

6.根据权利要求5所述的微流体细胞培养芯片，其中所述突起具有从1μm到300μm的高度。

7.根据权利要求5所述的微流体细胞培养芯片，其中所述突起具有从50μm到300μm的高度。

8.根据权利要求5所述的微流体细胞培养芯片，所述突起的高度为50μm。

9.根据权利要求2和5至8中任一项所述的微流体细胞培养芯片，其中，所述至少一个突起(8)的所述内表面(10)整体地或部分地面向所述支撑件(1)的所述至少一个穿孔(4)。