[发明专利]对设计布局的计算分析的性能指标进行可视化有效

专利信息
申请号: 201780043378.1 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN109478013B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: N·潘迪;M·C·西蒙 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 设计 布局 计算 分析 性能指标 进行 可视化
【说明书】:

发明提供一种方法,所述方法包括:获得规定光刻图案的布局的数据;获得所述布局的计算分析的多个性能指标,所述多个性能指标指示执行所述计算分析的相应部分的一台或更多台计算机过程的性能;使所述多个性能指标与在相应性能指标的测量期间处理的所述布局的多个部分相关联;以及基于使所述多个性能指标与在测量期间处理的所述布局的多个部分相关联的结果,产生三维或更高维显像,其中,显像维度中的至少一些维度指示所述布局的多个部分的相对位置,并且显像维度中的至少一些维度指示与相应部分相关联的性能指标。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年7月12日递交的美国申请62/361,055的优选权,该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开总体上涉及光刻过程的计算分析,更具体地涉及将设计布局的计算分析的性能指标可视化。

背景技术

多种计算技术被用于分析和调整光刻设计布局,例如,用于光学光刻的掩模布局,或者用于电子束光刻设备的布局。在许多情况下,在用于布局的生产版本之前(例如,在利用该布局产生掩模之前)应用这些技术,从而能够在书写掩模的相对地昂贵且耗时的过程之前通过模拟来改善掩模。示例包括各种形式的电子设计自动化工具,例如,设计规则检查应用、光学邻近效应校正(OPC)应用、OPC验证应用、使设计分解成适合于掩模书写设备的格式的应用、过程窗口优化应用和分析多投影掩模的应用。

发明内容

以下是本技术的一些方面的非穷举性列表。在以下公开中描述了这些和其他方面。

一些方面包括一种过程,所述过程包括:获得规定光刻图案的布局的数据;获得所述布局的计算分析的多个性能指标,所述多个性能指标指示执行所述计算分析的相应部分的一台或更多台计算机过程的性能;使所述多个性能指标与在相应性能指标的测量期间处理的所述布局的多个部分相关联;以及基于使所述多个性能指标与在测量期间处理的所述布局的多个部分相关联的结果,产生三维或更高维显像,其中,显像维度中的至少一些维度指示所述布局的多个部分的相对位置,并且显像维度中的至少一些维度指示与相应部分相关联的性能指标。

一些方面包括一种存储指令的有形的、非暂时性的、机器可读的介质,所述指令在由数据处理设备执行时使得所述数据处理设备执行包括上述过程的多个操作。

一些方面包括一种系统,所述系统包括一个或更多个处理器以及存储指令的存储器,所述指令在由所述处理器执行时实施上述过程的多个操作。

附图说明

当参考以下附图来阅读本申请时,将更好地理解本技术的上述方面和其他方面;在附图中,相似的附图标记指示相似或相同的元件:

图1是光刻系统的框图;

图2是图案化过程的模拟模型的流程的框图;

图3是形成设计布局的计算分析的性能指标的图形显像的过程的示例的流程图;

图4是执行设计布局的计算分析的计算簇的示例的框图;

图5是经受计算分析的设计布局的一部分的示例;

图6是将图5的设计布局的计算分析特征化的性能指标的热图显像的示例;

图7是完整设计布局的热图显像的示例;

图8是由热图显像的一部分的用户选择促使的显示的示例;

图9是示例性计算机系统的框图;

图10是另一个光刻系统的示意图;

图11是另一个光刻系统的示意图;

图12是图11中的系统的更详细视图;以及

图13是图11和图12的系统的源收集器模块SO的更详细视图。

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