[发明专利]半导体用粘合膜和半导体器件

说明书

提供了半导体用粘合膜和包括上述粘合膜的半导体器件，所述半导体用粘合膜包括：导电层，所述导电层包含选自铜、镍、钴、铁、不锈钢(SUS)和铝中的至少一种金属并且具有0.05μm或更大的厚度；以及粘合层，所述粘合层形成在所述导电层的至少一个表面上并且包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0160379号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本发明涉及半导体用粘合膜和半导体器件。

背景技术

近来，随着电子器件日益趋向小型化、高功能化和容量增大，对高密度和高度集成的半导体封装的需求快速增加，因此，半导体芯片的尺寸日益变大，并且在改善集成度方面，越来越多地使用多级堆叠芯片的堆叠封装法。

取决于多级半导体堆叠封装的使用，芯片的厚度变得更薄并且电路的集成度变得更高。然而，芯片本身的模量降低，引起制造过程和最终产品的可靠性方面的问题。

为了解决这些问题，已尝试增强半导体封装过程中使用的粘合剂的物理特性。

此外，近来，随着半导体芯片变得更薄，存在芯片在现有刀片切割过程中受损因而降低产率的问题，为了克服该问题，提出了首先用刀片切割半导体芯片然后对其进行抛光的制备方法。

在这样的制备方法中粘合剂不被切割。因此，使用激光切割粘合剂然后在低温下通过基础膜的扩展过程切割。

另外，近来，为了保护芯片上的电路，采用通过低温扩展过程和热收缩过程来切割粘合剂的方法而不使用激光。

然而，常规粘合剂具有低的延展性，因此在室温下不易切割，此外，当在切割之后在室温下使其静置时，由于延展性低而发生再粘合，因此降低半导体芯片的生产率。

在另一方面，随着近来半导体封装趋向更高的密度和更高的集成，所产生的电磁波量也增加。然而，存在这样的电磁波通过电子设备的接合部或连接部泄漏而引起有害影响(例如引起其他电元件或电子组件故障，或者使人体的免疫功能减弱)的问题。

因此，已对能够在改善用于半导体封装的产品的切割特性和粘合性的同时，实现可以有效地屏蔽和吸收引起电气元件故障并不利地影响人体的电磁波的特性的方法进行了各种研究。

发明内容

技术问题

本发明的一个目的是提供半导体用粘合膜，其由于固化产物的物理特性改善而可以提高半导体芯片的可靠性，并且可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的切割特性，从而提高半导体封装过程的可靠性和效率，并且其可以表现出优异的电磁波吸收性能。

本发明的另一个目的是提供包括上述半导体用粘合膜的半导体器件。

技术方案

在本发明的一个实施方案中，提供了半导体用粘合膜，其包括：导电层，所述导电层包含选自铜、镍、钴、铁、不锈钢(SUS)和铝中的至少一种金属并且具有0.05μm或更大的厚度；以及粘合层，所述粘合层形成在所述导电层的至少一个表面上并且包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂。

在本发明的另一个实施方案中，提供了半导体器件，其包括上述半导体用粘合膜和与所述粘合膜的粘合层的一个表面接触的半导体元件。

在下文中，将更详细地描述根据本发明的具体实施方案的半导体用粘合膜和半导体元件。