[发明专利]带介电薄膜的基板及使用其的光调制元件在审
| 申请号： | 201780044606.7 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109477985A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木权治;岩塚信治 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02B6/12;G02F1/035 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电薄膜 基板 单晶基板 铌酸锂膜 膜厚 衍射 光调制元件 双晶结构 铌酸锂 极点 增厚 主面 蓄积 缓和 | ||
1.一种带介电薄膜基板，其特征在于，
具备：
单晶基板；和
介电薄膜，其由外延形成于所述单晶基板的主面的c轴取向的铌酸锂构成，
所述介电薄膜的膜厚为1000nm以上，
所述介电薄膜具有包含第一结晶和使所述第一结晶以c轴为中心旋转180°得到的第二结晶的双晶结构，
由X射线衍射法进行的极点测定中，对应于所述第一结晶的第一衍射强度与对应于所述第二结晶的第二衍射强度之比为0.5以上且2.0以下。
2.根据权利要求1所述的带介电薄膜基板，其特征在于，
由X射线衍射法进行的极点测定中，所述第一衍射强度与所述第二衍射强度之比为0.8以上且1.25以下。
3.根据权利要求1或2所述的带介电薄膜基板，其特征在于，
所述单晶基板是所述主面为c面的蓝宝石单晶基板。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带介电薄膜基板，其特征在于，
通过所述X射线衍射法测定的(006)反射的摇摆曲线的半峰宽为0.3°以上且0.6°以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带介电薄膜基板，其特征在于，
在所述第一结晶与所述第二结晶的边界不存在晶界。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的带介电薄膜基板，其特征在于，
所述铌酸锂膜的膜厚为1300nm以上。
7.一种使用了权利要求1～6中任一项所述的带介电薄膜基板的光调制元件。
8.一种带介电薄膜基板，其特征在于，
具备：
蓝宝石单晶基板；和
介电薄膜，其由外延形成于所述蓝宝石单晶基板的主面的c轴取向的铌酸锂构成，
所述介电薄膜的膜厚为1000nm以上，且存在长度为10μm以上的裂纹的区域的比例为30％以下，
所述介电薄膜具有包含第一结晶和使所述第一结晶以c轴为中心旋转180°得到的第二结晶的双晶结构。
9.根据权利要求8所述的带介电薄膜基板，其特征在于，
在所述介电薄膜不存在长度为10μm以上的裂纹。
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