[发明专利]用于对干扰信号滤波的滤波器件

说明书

本发明涉及一种用于对干扰信号滤波的滤波器件，其具有：至少一个陶瓷的多层电容器(2，3，5)，所述多层电容器具有基本体(6)，在所述基本体中上下堆叠多个陶瓷层(9)和内电极(10，11，12)，并且其中在基本体(6)处设置有端子接触件(7，8)。陶瓷层(9)例如具有铅‑镧‑锆酸盐‑钛酸盐‑陶瓷。

技术领域

本发明涉及一种用于对干扰信号滤波的滤波器件，尤其EMT滤波器件(电磁干涉滤波器件)。这种滤波器例如构成用于在汽车领域、尤其在混合和电动车(xEV)中使用。滤波器件例如从文献DE 10 2013 101 323 B4中已知。

背景技术

在高温环境中，例如在xEV应用中，需要滤波部件、尤其电容器的高的热稳定性。滤波器件应尤其适合于在150℃和更高的温度中使用。此外，电容器应具有相对于湿气的高的鲁棒性、相对高的电容值和小的结构尺寸。

所述特性借助通常用于高压EMI滤波器的薄膜电容器仅难以实现。通常，薄膜电容器具有大的结构尺寸或要求冷却，以便将温度保持在可接受的水平上。大多陶瓷的电容器也不具有对于在EMI滤波器中使用期望的特性，如在需要的电容值的同时的高的热稳定性、良好的滤波能力和机械的鲁棒性。

发明内容

本发明的目的是，提出一种具有改进的特性的滤波器件。

根据本发明的滤波器件具有至少一个陶瓷的多层电容器(MLCC，multi layerceramic capacitor)。多层电容器具有基本体，在所述基本体中多个陶瓷层和内电极上下堆叠。在基本体处、尤其在基本体的相对置的侧处设置有端子接触件。

基本体也能够由多个子体组成，所述子体例如并联地彼此连接。子体例如设置在两个共同的端子接触件之间。

在一个实施方式中，陶瓷层具有改性的铅-锆酸盐-钛酸盐(PZT)陶瓷。例如，陶瓷层能够具有铅-镧-锆酸盐-钛酸盐(PZT)陶瓷。

陶瓷的组分尤其选择成，使得陶瓷具有反铁电的表现。在反铁电的表现中，介电常数随着电场强度增大而升高。介电常数尤其在电场强度的值大于零时具有最大值并且随后在电场强度增大时再次下降。相应地，多层电容器的电容在大于零的电压范围中在电压增大时升高。

例如，电容至少在200伏特至300伏特的范围中升高。电容例如在300V和1000V之间的范围中具有最大值并且随后再次下降。

这种电容器已经针对在DC环节和缓冲器应用中使用来开发。在所述应用中，载流能力具有更重要的意义。现在令人惊讶地证实的是，这种电容器也对于在EMI滤波器中使用具有尤其有利的特性。在所述应用领域中，更少地要求高的载流能力，而是要求高的耐电强度，尤其在高温下如此。例如，电容器应允许直至2000V、尤其直至2500V的电压峰值。

已经证实的是，在这种电容器中能够满足对EMI滤波器中的耐电强度的要求，例如根据常见的X或Y分类。

在DC环节和缓冲器应用中，电容器通常在开关场(Schaltfeld)处、即在电容的最大值处运行。因此，描述的电容器最初开发用于在开关场处运行。在用作为EMI滤波器的情况下，电容器根据优选的实施方式明显在开关场之下运行，即在如下区域中，电容器不开发用于所述区域。例如，工作电压最高为电容的最大值处的电压的一半大。尤其地，电容器在相对低的场或电压下运行。

例如，电容器在300V至500V直流电压的范围中、尤其在400V的直流电压处运行。最大值例如大于1000V，例如为1500V。

这在高温下正面地作用于使用寿命。同时，电容器能够在低损耗的范围中运行。