[发明专利]光刻设备、光刻投影设备和器件制造方法有效
申请号: | 201780045432.6 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN109564392B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | H·巴特勒;B·M·古伯特;E·R·鲁普斯特拉;M·W·J·E·威吉克曼斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司;卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 投影设备 器件 制造 方法 | ||
1.一种光刻设备,包括:
-基部框架,适于将所述光刻设备安装在支撑表面上,
-投影系统,所述投影系统包括:
-力框架,
-光学元件,所述光学元件能够相对于所述力框架移动,
-传感器框架,所述传感器框架与所述力框架分开,
-至少一个传感器,适于监测所述光学元件,所述至少一个传感器包括安装到所述传感器框架上的至少一个传感器元件,
-力框架支撑件,适于支撑在所述基部框架上的力框架,
-中间框架,所述中间框架与所述力框架分开,
-传感器框架联接器,适于将所述传感器框架耦接到所述中间框架,
-中间框架支撑件,所述中间框架支撑件与所述力框架支撑件分开并且适于支撑在所述基部框架上的所述中间框架,
其中,所述力框架支撑件通过抵靠所述基部框架而直接接触所述基部框架,并且所述中间框架支撑件通过抵靠所述基部框架而直接接触所述基部框架;并且
其中,所述光学元件由磁重力补偿器沿着所述力框架支撑件支撑所述力框架的方向而支撑在所述力框架上;并且所述投影系统还包括致动器和向所述致动器提供的弹性地安装的反作用块,所述致动器和所述反作用块串联连接于所述光学元件与所述力框架之间。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,
其中,所述力框架支撑件、所述传感器框架联接器和所述中间框架支撑件中的至少一个包括隔振器。
3.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备,
其中,所述光刻设备还包括力框架控制系统,所述力框架控制系统包括:
-力框架位置传感器,适于生成与所述力框架的相对于所述传感器框架的位置有关的测量数据,
-力框架致动器,适于相对于所述传感器框架移动所述力框架,
-力框架致动器控制装置,适于接收来自所述力框架位置传感器的测量数据并且基于所接收的测量数据来控制所述力框架致动器。
4.根据权利要求3所述的光刻设备,
其中,所述力框架致动器构成所述力框架支撑件的一部分。
5.根据权利要求1所述的光刻设备,
其中,所述传感器框架联接器是被动式的。
6.根据权利要求1所述的光刻设备,
其中,所述基部框架包括第一基部框架部分和第二基部框架部分,所述第一基部框架部分和第二基部框架部分能够相对于彼此移动,
其中,所述力框架支撑件连接到所述第一基部框架部分,和
其中,所述中间框架支撑件连接到所述第二基部框架部分。
7.根据权利要求1所述的光刻设备,
其中,所述力框架支撑件和所述中间框架支撑件两者都包括具有隔离频率的隔振器,和
其中,所述力框架支撑件的隔振器的隔离频率高于所述中间框架支撑件的所述隔振器的隔离频率。
8.根据权利要求1所述的光刻设备,
其中,所述传感器框架联接器和所述中间框架支撑件两者都包括具有隔离频率的隔振器,和
其中,所述传感器框架联接器的隔振器的隔离频率高于所述中间框架支撑件的所述隔振器的隔离频率。
9.根据权利要求1所述的光刻设备,
其中,所述光刻设备还包括晶片台测量框架和晶片台测量框架联接器,所述晶片台测量框架联接器适于将所述晶片台测量框架耦接到所述中间框架。
10.根据权利要求9所述的光刻设备,
其中,所述中间框架包括第一中间框架部分和第二中间框架部分,所述第一中间框架部分和第二中间框架部分能够相对于彼此移动,
其中,所述传感器框架联接器连接到所述第一中间框架部分,和
其中,所述晶片台测量框架联接器连接到所述第二中间框架部分。
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