[发明专利]单一氧化物金属沉积腔室

权利要求书

1.一种沉积腔室，包括：

气体分配平板，所述气体分配平板设置在腔室主体中；

金属靶，所述金属靶设置在所述腔室主体的周边部分中；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述气体分配平板下方，其中所述基板支撑件能够在垂直方向上在第一位置与所述第一位置下方的第二位置之间调节；

第一处理容积，当所述基板支撑件处于所述第一位置时所述第一处理容积设置在所述气体分配平板和所述基板支撑件之间；以及

第二处理容积，当所述基板支撑件处于所述第二位置时所述第二处理容积设置在所述金属靶和所述基板支撑件之间。

2.如权利要求1所述的沉积腔室，进一步包括一个或更多个屏蔽物，所述一个或更多个屏蔽物设置在所述气体分配平板和所述金属靶之间。

3.如权利要求2所述的沉积腔室，其中所述气体分配平板设置在所述腔室主体的第一部分中，且其中所述第一部分由从所述气体分配平板延伸的柱来限定。

4.如权利要求3所述的沉积腔室，其中所述一个或更多个屏蔽物设置为与所述柱相邻且与所述柱呈小于90度的锐角。

5.如权利要求1所述的沉积腔室，其中所述第一处理容积被配置为执行化学气相沉积工艺，且所述第二处理容积被配置为执行物理气相沉积工艺。

6.一种沉积腔室，包括：

气体分配平板，所述气体分配平板设置在腔室主体的中央部分中；

多个靶，所述多个靶设置在所述腔室主体的周边部分中；

可移动基板支撑件，所述可移动基板支撑件设置在所述气体分配平板下方，其中所述可移动基板支撑件能够在垂直方向上在第一位置与所述第一位置下方的第二位置之间调节；

第一处理容积，当所述可移动基板支撑件处于所述第一位置时所述第一处理容积设置在所述气体分配平板和所述可移动基板支撑件之间；

第二处理容积，当所述可移动基板支撑件处于所述第二位置时所述第二处理容积设置在所述多个靶和所述可移动基板支撑件之间；以及

一个或更多个屏蔽物，所述一个或更多个屏蔽物设置在所述气体分配平板和所述多个靶之间。

7.如权利要求6所述的沉积腔室，进一步包括柱，所述柱从所述气体分配平板延伸而部分地限定所述腔室主体的所述中央部分，其中所述可移动基板支撑件当处于所述第一位置时位于所述柱内，且其中所述可移动基板支撑件当处于所述第二位置时位于所述柱外部。

8.如权利要求7所述的沉积腔室，其中所述一个或更多个屏蔽物被设置为与所述柱呈小于90度的锐角。

9.如权利要求6所述的沉积腔室，其中所述一个或更多个屏蔽物部分地限定所述腔室主体的所述中央部分和所述腔室主体的所述周边部分。

10.如权利要求6所述的沉积腔室，其中所述可移动基板支撑件当位于所述第一处理容积中的时候与所述气体分配平板流体连通。

11.如权利要求10所述的沉积腔室，其中所述可移动基板支撑件当位于所述第二处理容积中的时候与所述多个靶中的每一个靶看上去在一条直线上。

12.如权利要求6所述的沉积腔室，其中绕着所述气体分配平板沿圆周设置所述腔室主体的所述周边部分。

13.如权利要求6所述的沉积腔室，其中所述可移动基板支撑件能够绕着轴旋转。