[发明专利]用于物体的光学冷却的设备有效
申请号: | 201780046922.8 | 申请日: | 2017-07-29 |
公开(公告)号: | CN109564056B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | Y·申哈夫;G·格罗塔斯 | 申请(专利权)人: | 索尔库德公司 |
主分类号: | F25D31/00 | 分类号: | F25D31/00;G02F1/35 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 物体 光学 冷却 设备 | ||
1.一种用于物体内和/或物体表面的光学冷却的设备,所述设备包括:
-至少一个底层,其配置成在吸收电磁辐射时以反斯托克斯荧光响应;以及
-至少一个顶层,其铺设在所述底层上,并配置成过滤所述电磁辐射并将所述电磁辐射的选定光谱带传输到所述底层;
其中,所述电磁辐射是具有宽光谱带的非相干非单色辐射,其中,所述选定光谱带足以在所述底层的活性成分中将电子从基态激发到激发态。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述活性成分包括至少一种材料,所述材料选自RE离子掺杂材料和晶体半导体材料。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述RE离子掺杂材料选自以下中的任一种:镱掺杂的氟化钇锂(Yb:YLF)晶体,镱掺杂的钨酸盐晶体(Yb:KGW),掺杂9Be+、铯和1重量%Yb3+的氟锆酸盐玻璃(ZBLANP)。
4.根据权利要求2所述的设备,其中,所述晶体半导体材料选自以下中的任一种:CdS(硫化镉),CdSe/ZnS,GaAs(砷化镓)和AlGaAs(砷化铝镓)。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述CdS以纳米带提供,所述纳米带形成所述底层。
6.根据权利要求4所述的设备,其中,所述CdSe/ZnS以量子点提供,所述量子点形成所述底层。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个顶层由固体合成聚合物制成,所述固体合成聚合物选自以下中的任一种或其任意组合:丙烯酸聚合物,烯烃聚合物,PC(聚碳酸酯),PVA(聚乙烯醇),EVA(乙烯醋酸乙烯酯)聚合物,聚酯聚合物(PSR),苯乙烯聚合物,氟化聚合物,尼龙6,6和尼龙6,丙烯酸树脂。
8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个顶层由固体合成聚合物制成,所述固体合成聚合物是PUR(聚氨酯)。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述PUR(聚氨酯)是发泡PUR。
10.根据权利要求1所述的设备,其中,所述至少一个顶层由固体合成聚合物制成,所述固体合成聚合物是聚合物树脂。
11.根据权利要求7所述的设备,其中所述烯烃聚合物选自以下中的任一种或其任意组合:PE(聚乙烯)和PP(聚丙烯),和PVC(聚氯乙烯)。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述PE(聚乙烯)选自以下中的任一种或其任意组合:UHMWPE(超高分子量聚乙烯),ULMWPE或PE-WAX(超低分子量聚乙烯),HMWPE(高分子量聚乙烯),PEX或XLPE(交联聚乙烯),CPE(氯化聚乙烯)。
13.根据权利要求12所述的设备,其中所述XLPE(交联聚乙烯)是HDXLPE(高密度交联聚乙烯)。
14.根据权利要求11所述的设备,其中所述PE(聚乙烯)选自以下中的任一种或其任意组合:HDPE(高密度PE),MDPE(中密度聚乙烯),LDPE(低密度PE),VLDPE(极低密度聚乙烯)。
15.根据权利要求14所述的设备,其中所述LDPE(低密度PE)是LLDPE(线性低密度PE)。
16.根据权利要求14所述的设备,其中所述LDPE(低密度PE)是m-LLDPE(茂金属线性低密度PE)。
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