[发明专利]半导体组装件及其制造方法

说明书

根据本公开的一些示例的半导体器件可包括封装基板、半导体管芯，该半导体管芯用该半导体管芯的有源侧上的第一组触点耦合到该封装基板的一侧并且用该半导体管芯的背侧上的第二组触点耦合到多个焊印。该半导体管芯可包括多个通孔，该多个通孔将第一组触点连接到第二组触点并且被配置成允许在较短的热耗散路径里将热量从该管芯的该有源侧传递到该多个焊印。

公开领域

本公开一般涉及半导体组装件，尤其但不排他地涉及具有改善的热性能和电性能的半导体组装件。

背景技术

半导体组装件可被配置并且用于多种目的。一种此类目的是功率放大器半导体组装件。射频功率放大器(RF功率放大器)是将低功率射频信号转换成较高功率信号的一种类型的电子放大器。通常，RF功率放大器驱动(诸如移动电话中的)发射机的天线。设计目标常常包括增益、功率输出、带宽、功率效率、线性度(额定输出时的低信号压缩)、输入和输出阻抗匹配、以及热耗散。功率放大器半导体封装通常在操作期间生成需要被耗散的数瓦的热量。增加的热量将影响PA的效率并且使PA更加有损。另外，RF功率放大器半导体封装需要短的芯片到接地面距离以防止寄生损耗。由此，存在对于包括以下各项的高性能功率放大器(PA)半导体封装组装件的需求：使PA效率最大化的最小热阻，针对PA功率递送的最小布线RF信号寄生，简化的接地路径，以及热路径简化。

相应地，存在对克服常规办法的缺陷的系统、装置和方法的需求，包括由此提供的方法、系统和装置。

概述

以下给出了与本文所公开的各装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有构想的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有构想的方面和/或示例相关的关键性或决定性要素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述仅具有在以下给出的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念的目的。

在一个方面，一种器件包括：具有第一侧的封装基板；沿该封装基板的周界耦合到该封装基板的第一侧的多个第一焊球，该多个第一焊球被配置成将该封装基板电耦合到与该封装基板相对的印刷电路板；在该多个第一焊球之间的耦合到第一侧的多个第二焊球；与第一侧相对地耦合到该多个第二焊球的第一组触点；具有有源侧、与该有源侧相对的背侧、多个通孔的半导体管芯，该多个通孔被配置成将该有源侧耦合到该背侧，并且该有源侧与该多个第二焊球相对地耦合到第一组触点；耦合到该背侧的第二组触点，其中第二组触点之中的至少一个触点连接到该多个通孔之中的两个或更多个通孔；以及耦合到第二组触点和该印刷电路板的多个焊印(solder print)。

在另一方面，一种器件包括：具有第一侧的封装基板；沿该封装基板的周界耦合到第一侧的第一连接装置，该第一连接装置被配置成将该封装基板电耦合到与该封装基板相对的印刷电路板；在第一连接装置之间的耦合到第一侧的第二连接装置；在第二连接装置上的与第一侧相对的第一组触点；具有有源侧、与该有源侧相对的背侧、多个通孔的半导体管芯，该多个通孔被配置成将该有源侧耦合到该背侧，并且该有源侧与第二连接装置相对地耦合到第一组触点；耦合到该背侧的第二组触点，其中第二组触点之中的至少一个触点连接到该多个通孔之中的两个或更多个通孔；以及耦合到第二组触点和该印刷电路板的第三连接装置。

在又一方面，一种器件包括：具有第一侧的封装基板；沿该封装基板的周界耦合到第一侧的第一连接装置，该第一连接装置被配置成将该封装基板电耦合到与该封装基板相对的印刷电路板；在第一连接装置之间的耦合到第一侧的第二连接装置；在第二连接装置上的与第一侧相对的第一组触点；具有有源侧、与该有源侧相对的背侧的半导体管芯，并且该有源侧与第二连接装置相对地耦合到第一组触点；连接在第一组触点和第二组触点之间的热传递装置，该热传递装置被配置成将热量从该有源侧传递到该背侧；耦合到该背侧的第二组触点，其中第二组触点之中的至少一个触点连接到两个或更多个热传递装置；以及耦合到第二组触点和该印刷电路板的第三连接装置。