[发明专利]半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，其特征在于，

所述半导体芯片具有第一块和第二块，

所述第一块包括具有纳米线FET即场效应晶体管的标准单元，所述第二块包括纳米线FET，

所述第一块和所述第二块所包括的纳米线FET分别具有：

沿第一方向延伸的一条或并排设置的多条纳米线；

一对焊盘，一对所述焊盘分别设在所述纳米线的所述第一方向上的两端且下表面位于比所述纳米线的下表面低的位置上，并与所述纳米线相连接；以及

栅极电极，所述栅极电极沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且被设为在所述纳米线的所述第一方向上的规定范围内包围所述纳米线的周围，

在所述第一块和所述第二块中，

所述纳米线在所述第二方向上的布置中心间距是规定的第一中心间距的整数倍，

所述焊盘在所述第一方向上的布置中心间距是规定的第二中心间距的整数倍。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，

在所述第一块和所述第二块所包括的纳米线FET中的至少一个所述纳米线FET中，沿与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向布置有多条所述纳米线，

在所述第一块和所述第二块中，

所述纳米线在所述第三方向上的布置中心间距是规定的纳米线堆叠中心间距的整数倍。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，

在所述第一块和所述第二块中，

构成所述栅极电极的栅极布线和虚设栅极布线在所述第一方向上的布置中心间距是所述第二中心间距的整数倍。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，

所述标准单元在所述第二方向上的尺寸是所述第一中心间距的整数倍。

5.一种半导体芯片，其特征在于，

所述半导体芯片具有第一块和第二块，

所述第一块包括具有纳米线FET即场效应晶体管的标准单元，所述第二块包括纳米线FET，

所述第一块和所述第二块所包括的纳米线FET分别具有：

沿第一方向延伸的一条或并排设置的多条纳米线；

一对焊盘，一对所述焊盘分别设在所述纳米线的所述第一方向上的两端且下表面位于比所述纳米线的下表面低的位置上，并与所述纳米线相连接；以及

栅极电极，所述栅极电极沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且被设为在所述纳米线的所述第一方向上的规定范围内包围所述纳米线的周围，

在所述第一块和所述第二块所包括的纳米线FET中的至少一个所述纳米线FET中，沿与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向布置有多条所述纳米线，

在所述第一块和所述第二块中，

所述纳米线在所述第二方向上的布置中心间距是规定的第一中心间距的整数倍，并且，在所述第三方向上的布置中心间距是规定的纳米线堆叠中心间距的整数倍，

所述焊盘在所述第一方向上的布置中心间距是规定的第二中心间距的整数倍。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，

在所述第一块和所述第二块中，

构成所述栅极电极的栅极布线和虚设栅极布线在所述第一方向上的布置中心间距是规定的第二中心间距的整数倍。

7.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，

所述标准单元在所述第二方向上的尺寸是所述第一中心间距的整数倍。