[发明专利]下层抗反射膜形成用组合物

说明书

[要解决的问题]本发明提供一种下层抗反射膜形成用组合物，其显现高的蚀刻耐受性，即使在比较低的温度也可交联。本发明进一步提供一种使用了该下层抗反射膜形成用组合物的抗蚀图案以及器件的制造方法。[方案]提供了一种下层抗反射膜形成用组合物、以及使用了其的抗蚀图案以及器件的制造方法，所述下层抗反射膜形成用组合物包含以下的成分：包含特定的重复单元的聚合物A、分子量100～3,000的低分子交联剂、以及溶剂。

技术领域

本发明涉及一种下层抗反射膜形成用组合物、以及使用了其的下层抗反射膜、抗蚀图案的制造方法，所述下层抗反射膜形成用组合物在利用使用了光致抗蚀剂的光刻技术而形成图案时使用。另外，本申请发明也涉及使用此抗蚀图案与光刻技术而制造半导体等器件的方法。

背景技术

在半导体等器件的制造过程中，通常利用使用了光致抗蚀剂的光刻技术而进行微细加工。关于微细加工的工序，包含以下的步骤：在硅晶圆等半导体基板上形成薄的光致抗蚀层，由以该光致抗蚀层为目的的与器件的图案相对应的掩模图案进行覆盖，介由掩模图案利用紫外线等活性光线将该光致抗蚀层进行曝光，通过将曝光了的层进行显影从而获得光致抗蚀图案，将所获得的光致抗蚀图案作为保护膜而对基板进行蚀刻处理；由此形成与上述的图案相对应的微细凹凸。在这些光刻工序方面产生如下的问题：在由源自基板的光的反射导致的驻波的影响下和在由基板的高低差引起的曝光光的漫反射的影响下，使得光致抗蚀图案的尺寸精度降低。因此，为了解决这一问题，人们广泛地研讨着设置下层抗反射膜的方法。作为对这样的下层抗反射膜要求的特性，列举以下的特性：对于在光致抗蚀剂的曝光中使用的辐射线而言具有大的吸光度，按照使得曝光以及显影后的光致抗蚀层的剖面与基板表面成为垂直的方式防止漫反射等，以及相对于光致抗蚀组合物中所含的溶剂而言是难溶性的(不易引起混杂)，等等。

在专利文献1中公开了一种具有特定的高分子交联剂的抗反射涂布组合物。在专利文献2中公开了一种具有特定的聚合物的间隙填充材料形成用组合物，但是在是否可形成下层抗反射膜、或者是否具有作为下层抗反射膜而言的要求特性方面，没有记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第5418906号

专利文献2：日本特许第4654544号

发明内容

发明想要解决的课题

本发明人认为，作为光刻工序中的下层抗反射膜，除了上述中列举出的特性以外，蚀刻耐受性、涂布性、可埋入于复杂且微细的基板(例如高低差基板)的特性也是有用的，反复进行深入研究，发现了后述的组合物。

另外发现了，关于所获得的组合物，即使将烘烤温度设为比较低的温度也可进行充分的交联反应，可形成膜，因而不对其它成分造成不良影响等，在制造工艺方面有利。

用于解决课题的方案

本发明的下层抗反射膜形成用组合物包含聚合物A、分子量100～3,000的低分子交联剂、以及溶剂，

所述聚合物A包含下述式(I)的重复单元、以及下述(II)的重复单元，

【化学式1】

式中，

R₁为氢、C_1～6烷基、卤素或者氰基，

R₂为C_1～6烷基、羟基、卤素或者氰基，

p为0、1、2、3或4，

R₃为氢、C_1～6烷基、卤素或者氰基，

R₄为C_1～6烷基、卤素或者氰基，并且