[发明专利]SiC加热器

说明书

本发明提供一种SiC加热器，其具备：发热体，具有薄板状碳化硅烧结体和形成于所述碳化硅烧结体的表面的绝缘被膜；一对电极，用于对所述发热体进行通电；及加热器底座，阻断来自所述发热体的热，并且从一表面侧保持所述发热体，所述绝缘被膜位于所述碳化硅烧结体的与所述加热器底座相反的一侧的表面，常温下的电阻率为10⁹Ω·cm以上，热膨胀率为2×10^‑6/K以上且6×10^‑6/K以下，将SiO₂设为基质，含有1重量％以上且35重量％以下的包含B₂O₃及Al₂O₃中的至少一种的第1添加成分，含有1重量％以上且35重量％以下的包含MgO及CaO中的至少1种的第2添加成分。

技术领域

本发明涉及一种SiC加热器。

本申请主张基于2016年8月2日于日本申请的日本专利申请2016-151911号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，以智能手机或移动电话、平板终端等为中心面向2.5D、3D安装等高集成化的开发正在加速进行。存储器或应用处理器等SoC(System-on-a-Chip：片上系统)的安装中，对多个设备统一连续进行热处理的基于回流的安装是主流。然而，在基于回流的安装中，在凸块的微细化、窄间距化中存在限制，进一步的高集成化变得困难。由此，被称作热压接方法的安装方式作为代替回流的代替技术受到关注，一部分正投入实际使用。

热压接方法是通过具备发热体的加热器一边对每一个芯片施加荷重，一边进行加热及冷却并进行安装的方式。已知有作为实现热压接方法的加热器的发热体，使用由陶瓷构成的发热体，由此能够抑制施加荷重时发热体的变形，从而实现高精度的安装。因此，预测今后基于在发热体中使用了陶瓷的陶瓷加热器的热压接方法将成为安装的主流。

作为陶瓷加热器，在专利文献1中记载有在发热体中使用了碳化硅的SiC加热器。该SiC加热器中，在由碳化硅构成的发热体的表面设置有由硼硅酸玻璃或铝硅酸玻璃构成的绝缘被膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3710690号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

专利文献1中记载的SiC加热器若承受700℃以上的高温热历程，则有时绝缘被膜白浊化，从而绝缘特性显著降低。通常，安装时工件的加热温度为450℃左右，但期待一种对应于预料之外的过度升温，而能够承受一定程度的高温。

本发明是鉴于现有的碳化硅加热器中的所述问题而完成的，其目的在于提供一种抑制了由过度升温引起的绝缘性降低的SiC加热器。

用于解决技术课题的手段

为了解决上述课题，本发明的一方式的SiC加热器具备：发热体，具有薄板状碳化硅烧结体和形成于所述碳化硅烧结体的表面的绝缘被膜；一对电极，用于对所述发热体进行通电；及加热器底座，阻断来自所述发热体的热，并且从一表面侧保持所述发热体，所述绝缘被膜位于所述碳化硅烧结体的与所述加热器底座相反的一侧的表面，并由硼硅酸玻璃或铝硅酸玻璃中的至少1种构成，常温下的电阻率为10⁹Ω·cm以上，热膨胀率为2×10^-6/K以上且6×10^-6/K以下，将SiO₂设为基质，含有1重量％以上且35重量％以下的包含B₂O₃及Al₂O₃中的任一方或双方的第1添加成分，并含有1重量％以上且35重量％以下的包含MgO及CaO中的任一方或双方的第2添加成分。