[发明专利]提供旁路寄生阻抗的匹配电路的系统和方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

射频(RF)放大器，包括：晶体管，被配置为在其控制端子处接收RF信号；电容器，被耦合至所述晶体管的第一端子；电感器，被耦合至所述晶体管的第二端子，其中所述电容器和所述电感器形成从所述第一端子到所述第二端子的回路，其中所述回路旁路所述第二端子与地之间的寄生电感。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述晶体管和所述电容器被实施在同一半导体管芯上。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述电感器包括在半导体管芯上的管芯上接合线耦合焊盘，所述半导体管芯包括所述晶体管和所述电容器。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述半导体管芯包括GaAs管芯。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述电容器相对于所述RF信号的电压是浮动的。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二端子与所述地之间的所述寄生电感与过孔相关联。

7.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

半导体管芯，所述晶体管和所述电容器被形成在所述半导体管芯上，其中所述半导体管芯包括与所述晶体管的所述第二端子耦合的背过孔；以及

印刷电路板，所述半导体管芯被安装在所述印刷电路板上，其中所述印刷电路板包括被与所述背过孔和接地平面耦合的过孔，进一步其中所述寄生电感与所述背过孔和所述过孔相关联。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述晶体管包括异质结双极性晶体管(HBT)。

9.根据权利要求1所述的电路，进一步包括天线，被耦合至在所述电容器与所述电感器之间的节点，其中所述天线被配置为接收由所述晶体管放大的所述RF信号。

10.根据权利要求9所述的电路，其中包括所述电容器和所述电感器的所述回路是被匹配至所述天线的阻抗。

11.一种射频(RF)放大器电路，包括：

半导体管芯，具有被形成在其中的晶体管，所述晶体管包括被配置为接收RF信号的控制端子，所述晶体管进一步包括被与电源耦合的第一端子和被与接地平面耦合的第二端子；

印刷电路板(PCB)，所述半导体管芯被安装在所述印刷电路板上，其中所述PCB包括所述接地平面和将所述接地平面耦合至第二过孔的第一过孔，所述第二过孔被耦合至所述晶体管的所述第二端子；以及

电容器和电感器，被耦合在所述晶体管的所述第一端子与所述晶体管的所述第二端子之间以形成回路，所述回路终止在所述第二端子与所述第二过孔之间的节点处，所述电容器和所述电感器匹配所述放大器电路的负载的阻抗。

12.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中所述负载包括被与在所述电容器与所述电感器之间的节点耦合的天线。

13.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中所述半导体管芯包括GaAs管芯。

14.根据权利要求13所述的RF放大器电路，其中所述晶体管包括异质结双极性晶体管。

15.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中所述电容器被形成在所述半导体管芯上。

16.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中所述电感器包括管芯上接合线。

17.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中所述电容器相对于所述RF信号的电压浮动。

18.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中所述第二过孔包括所述半导体管芯的背过孔。