[发明专利]具有改进的共模瞬态拒绝的电气隔离的数据隔离器

权利要求书

1.一种数据隔离器，包括：

具有初级绕组的隔离变压器；和

H-桥变压器驱动器，所述H-桥变压器驱动器包括多个晶体管，

其中所述初级绕组具有到所述H-桥变压器驱动器的第一连接和第二连接，并且其中所述初级绕组连接到所述H-桥变压器驱动器而没有DC阻挡组件，以及

其中所述多个晶体管具有导通状态电阻，使得所述初级绕组的中点处的电压基本上处于所述H-桥变压器驱动器的共模电压。

2.如权利要求1所述的数据隔离器，其中所述隔离变压器还包括次级绕组，所述数据隔离器还包括接收器，并且其中变压器驱动器被配置为以编码形式向所述初级绕组提供数据信号，并且所述接收器被配置为解码在所述次级绕组中感应的信号以重构数据信号。

3.如权利要求2所述的数据隔离器，其中所述接收器被配置为接收单相脉冲。

4.如权利要求2所述的数据隔离器，其中所述接收器响应于所述次级绕组的第一节点和第二节点之间的电压差，并且其中超过第一阈值的电压差表示接收来自所述初级绕组的信号。

5.如权利要求4所述的数据隔离器，其中所述电压差的符号表示所述初级绕组中的电流方向的变化或电流方向。

6.如权利要求1所述的数据隔离器，其中H-桥驱动器包括第一P-型晶体管和第二P-型晶体管以及第一N-型晶体管和第二N-型晶体管。

7.如权利要求6所述的数据隔离器，其中通过在P-型晶体管中与N-型晶体管相比具有不同的掺杂浓度来匹配所述导通状态电阻。

8.如权利要求6所述的数据隔离器，其中通过使P-型晶体管的尺寸与N-型晶体管的尺寸不同来匹配所述导通状态电阻。

9.如权利要求6所述的数据隔离器，其中通过包括与P-型晶体管或N-型晶体管中的一个或多个晶体管串联的电阻来匹配所述导通状态电阻。

10.如权利要求2所述的数据隔离器，其中所述编码形式包括使用第一数量的脉冲表示所述数据信号的上升沿，并且使用不同于所述第一数量的脉冲的第二数量的脉冲表示所述数据信号的下降沿。

11.如权利要求6所述的数据隔离器，其中P-型晶体管的纵横比与N-型晶体管的纵横比相差超过2倍。

12.如权利要求11所述的数据隔离器，其中P-型晶体管的纵横比与N-型晶体管的纵横比相差超过3倍。

13.如权利要求11所述的数据隔离器，其中P-型晶体管的纵横比与N-型晶体管的纵横比相差超过3.5倍。

14.如权利要求1所述的数据隔离器，其中所述隔离变压器是微变压器。

15.如权利要求1所述的数据隔离器，其中所述数据隔离器以芯片级封装提供。

16.一种数据隔离器，所述数据隔离器具有改进的抗共模干扰能力，所述数据隔离器包括：

具有初级绕组的变压器；和

H-桥电路，所述H-桥电路包括多个晶体管，所述H-桥电路被配置为驱动所述初级绕组，其中所述H-桥电路包括可控的第一电流路径至第四电流路径，并且其中所述第一电流路径至所述第四电流路径的导通状态电阻匹配，并且其中所述多个晶体管具有导通状态电阻，使得所述初级绕组的中点处的电压基本上处于所述H-桥电路的共模电压。

17.如权利要求16所述的数据隔离器，其中所述第一电流路径至所述第四电流路径的导通状态电阻被匹配为使得当所述电路经受共模电压变化时，所述初级绕组的相对节点处的电压变化基本相等。