[发明专利]离子束电荷转换装置的旋转式电荷转换膜以及离子束电荷转换方法在审
| 申请号： | 201780048733.4 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109564789A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 村上睦明;立花正满;多多见笃;长谷部裕雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化;国立研究开发法人理化学研究所 |
| 主分类号： | G21K1/14 | 分类号： | G21K1/14;C01B32/182;G21K1/00;G21K5/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷转换膜 离子束 碳膜 电荷转换 旋转式 膜厚 电荷 耐热性 膜面方向 转换 高能量 热导率 烧成法 无毒性 活化 耐受 射束 放射性 照射 制造 | ||
1.一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，
其由25℃下的膜面方向的热导率为20W/mK以上的碳膜形成，
该碳膜的膜厚为0.2μm以上且低于10μm。
2.根据权利要求1所述的电荷转换膜，其中，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。
3.根据权利要求1或2所述的电荷转换膜，其中，所述碳膜是碳原子数浓度为97％以上的石墨膜。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电荷转换膜，其中，所述碳膜在25℃下的膜面方向的热导率为500W/mK以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电荷转换膜，其中，所述碳膜的面积为4cm2以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电荷转换膜，其中，所述碳膜的密度为0.90g/cm3以上且2.26g/cm3以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电荷转换膜，其中，所述碳膜的密度为2.0g/cm3以上且2.26g/cm3以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的电荷转换膜，其中，所述碳膜为圆形状。
9.一种旋转式电荷转换膜，其为在将离子束的电荷进行转换的装置中使用的电荷转换膜，
其由利用高分子烧成法制造的碳膜形成，
该碳膜的膜厚为0.2μm以上且低于10μm。
10.根据权利要求9所述的电荷转换膜，其中，该碳膜的膜厚大于3μm且低于10μm。
11.一种离子束电荷转换方法，其中，对旋转着的权利要求1～10中任一项所述的电荷转换膜照射离子束。
12.根据权利要求11所述的离子束电荷转换方法，其中，所述电荷转换膜的转速为1rpm以上且3000rpm以下。
13.根据权利要求11或12所述的离子束电荷转换方法，其中，所述离子束的电荷转换在1×10-3Pa以下的真空度环境下进行。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的离子束电荷转换方法，其中，所述离子束是原子序数6以上的原子的离子束。
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