[发明专利]磁场控制系统有效
申请号: | 201780049009.3 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN109564818B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 张健熙;南在洸;李原书;张峰准 | 申请(专利权)人: | 汉阳大学校产学协力团 |
主分类号: | H01F38/14 | 分类号: | H01F38/14;H01F5/02;A61M37/00;B25J7/00;B25J5/00;B25J9/16;A61B1/005 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁场 控制系统 | ||
本发明一实施例的磁场控制系统包括:结构形成部,形成具有内部空间的立体结构;磁场生成部,从上述结构形成部的规定位置延伸而成,以朝向在上述内部空间形成的目标区域的方式配置,用于生成磁场;以及电源部,用于向上述磁场生成部供电。
技术领域
本发明涉及磁场控制系统,更详细地,涉及可控制管内移动装置的移动的磁场控制系统。
背景技术
电磁驱动系统为利用导电的线圈所生成的磁场来控制磁性微型机器人或磁导管的磁场生成装置。微型机器人或导管主要插入于人体内部来有效执行诊断疾病或者传递药物等人难以直接执行的动作。为了驱动微型机器人或导管而使用交流磁场,尤其,为了打通堵塞的血管而使用利用高磁密度及频率的旋转磁场(rotating magnetic field)的钻井运动(drilling motion)。
但是,以往的电磁驱动系统利用开磁路来生成密度相对低的磁场,尤其,因自感效果,发生随着频率的提高,交流磁场的大小急剧减少的现象。即,以往的电磁驱动系统利用开磁路,因此,磁场向外部泄露,无法克服基于频率的磁场弱化效果,而无法生成高密度的高频磁场,因此,微型机器人的驱动速度及任务执行能力受到限制。
为了克服这种限制,利用反馈控制来考虑基于频率的磁场的减少效果来进行控制,但无法解决输出降低的本质性的问题。并且,作为其他解决方案,缩小电磁驱动系统的大小或者增加电流来增加磁场的强度,内部空间变小且因增加的电流而导致效率降低。
发明内容
技术问题
本发明实施例的目的在于,提供可有效增加在目标区域生成的磁场的大小的磁场控制系统。
本发明实施例的目的在于,提供改变共振频率并生成磁场的磁场控制系统。
本发明提供在具有如血管的脉动环境的管中可稳定控制位置的磁场控制系统。
并且,本发明提供具有爬行运动的移动远离并可转换方向的磁场控制系统。
本发明所要解决的技术问题在于,提供转向性得到提高的磁场控制系统。
本发明的技术问题并不局限于以上提及的技术问题,本发明所属技术领域的普通技术人员可从以下的记载明确理解未提及的其他技术问题。
技术方案
本发明一实施例的磁场控制系统可包括:结构形成部,形成具有内部空间的立体结构;磁场生成部,从上述结构形成部的规定位置延伸而成,以朝向在上述内部空间形成的目标区域的方式配置,用于生成磁场;以及电源部,用于向上述磁场生成部供电。
在一实施例中,上述磁场生成部可包括第一磁场生成部及第二磁场生成部,上述电源部包括第一电源部及第二电源部,上述第一磁场生成部包括:第一磁芯,从上述结构形成部的规定位置延伸而成;第一线圈,卷绕于上述第一磁芯;以及第一可变电容器,一端与上述第一线圈的另一端相连接,另一端与上述第一电源部相连接,上述第二磁场生成部包括:第二磁芯,从上述结构形成部的规定位置延伸而成;第二线圈,卷绕于上述第二磁芯;以及第二可变电容器,一端与上述第二线圈的另一端相连接,另一端与上述第二电源部相连接。
在一实施例中,上述第一线圈、第一可变电容器及上述第一电源部形成第一闭合电路,上述第一闭合电路的共振频率根据上述第一可变电容器的电容改变。
在一实施例中,上述第二线圈、第二可变电容器及上述第二电源部形成第二闭合电路,上述第二闭合电路的共振频率根据上述第二可变电容器的电容改变。
在一实施例中,上述第一可变电容器及第二可变电容器的电容可具有相同或不相同的值。
在一实施例中,上述第一磁芯及第二磁芯可由圆筒形态的磁体形成。
在一实施例中,上述第一可变电容器及第二可变电容器分别可由并联的多个电容器形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉阳大学校产学协力团,未经汉阳大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780049009.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:线圈组件
- 下一篇:R-T-B系烧结磁体的制造方法