[发明专利]微型发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.微型发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一外延叠层，依次包含第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，其具有相对的第一表面和第二表面；

（2）在外延叠层的第二表面制作第一、第二电极，其中所述第一电极与所述第一类型半导体层连接，所述第二电极与所述第二类型半导体层连接；

（3）在所述第一电极和第二电极上形成第一连接区，其从表面形貌或外观颜色上区别于所在电极的其他区域，所述形成的第一连接区用于制作金属连线，以将第一电极和/或第二电极引至芯片以外区域形成测试电极；

其中所述步骤（3）包括下面子步骤：

（e）在所述第一电极和第二电极上定义第一连接区，制作金属连线，将第一电极和第二电极引至微单元以外的区域形成测试电极；

（f）向所述测试电极通入测试电流，进行光电测试；

（g）去除所述测试电极；

其中形成的微型发光二极管的尺寸为100μm×100μm以内。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：还包括步骤（4）：

（4）提供一支撑基板，通过至少一支撑柱与所述外延叠层的第二表面连接，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：

所述步骤（2）包含：

（a）在所述外延叠层的第二表面上定义切割道区和第一电极区，所述外延叠层被所述切割道区划分为一系列微单元，每个微单元具有至少一个第一电极区；

（b） 蚀刻所述外延叠层的第一电极区的第二类型半导体层、有源层至第一类型半导体层，裸露出第一类型半导体层的部分表面；

（c）分别在各个所述微单元的裸露出的第一类型半导体层和第二类型半导体层上制作第一电极、第二电极；

（d）蚀刻所述外延叠层的切割道区，将所述外延叠层分为一系列微单元阵列。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中形成的金属连线的材料与所述第一、第二电极的材料不同，采用选择性蚀刻去除所述金属连线。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：完在（f）步骤后，进行下面步骤：

（i）在所述微单元阵列的电极的一侧形成牺牲层，其在对应于每个微单元的位置至少预留一个开口；

（ii）提供一承载基板，分别在所述承载基板和牺牲层形成热固型材料，然后将两者贴合进行固化、键合，从而在开口处形成支撑柱；

（iii）同时去除所述牺牲层和金属连线。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属连线和牺牲层的材料相同，选择TiW或Ni。

7.根据权利要求3所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：完在（e）步骤后，进行下面步骤：

（i）在所述微单元阵列的电极的一侧形成牺牲层，其在对应于每个微单元的位置至少预留一个开口；

（ii）提供一承载基板，分别在所述承载基板和牺牲层形成热固型材料，然后将两者贴合进行固化、键合，从而在开口处形成支撑柱；

（iii）去除所述牺牲层；

接着进行步骤（f）。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属连线和牺牲层的材料选择TiW或Ni，但各不相同。