[发明专利]镍-锡微凸块结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于互连电路的集成电路(IC)封装衬底，所述集成电路封装衬底包括：

电介质层，所述电介质层具有形成在其中的通路孔；

子表面水平金属层，所述子表面水平金属层包括铜接触部，每个铜接触部暴露于相应的一个通路孔，所述铜接触部包括第一铜接触部；

沉积在所述第一铜接触部上的第一种子层部分，所述第一种子层部分包括铜；以及

形成在所述第一种子层部分上的第一微凸块，所述第一微凸块包括锡和镍，其中，所述第一微凸块的体积的底部10％具有第一锡质量分数，其中，所述第一微凸块的体积的顶部10％具有第二锡质量分数，并且其中，所述第二锡质量分数与所述第一锡质量分数相差所述第一锡质量分数的至少5％。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装衬底，还包括所述第一铜接触部上的第一表面精整部分，其中，所述第一种子层部分沉积在所述第一表面精整部分上。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装衬底，其中，所述微凸块的镍直接设置在所述第一种子层部分上。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装衬底，其中，所述第二锡质量分数与所述第一锡质量分数相差所述第一锡质量分数的至少10％。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装衬底，其中，所述第一微凸块的锡的总体积等于所述第一微凸块的镍的总体积的至少75％。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装衬底，其中，所述第一微凸块的总的锡质量分数在50％至90％的范围内。

7.一种用于在衬底上形成微凸块的方法，所述方法包括：

对电介质层进行图案化，其中，通过由所述电介质层形成的开口暴露出铜接触部；

在所述铜接触部上执行种子层的沉积，所述种子层包括铜；

直接在所述种子层上电镀第一微凸块的镍；以及

直接在所述镍上电镀所述第一微凸块的锡，其中，所述第一微凸块的体积的底部10％具有第一锡质量分数，其中，所述第一微凸块的体积的顶部10％具有第二锡质量分数，并且其中，所述第二锡质量分数与所述第一锡质量分数相差所述第一锡质量分数的至少5％。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述种子层的沉积包括直接在所述铜接触部上执行所述种子层的无电镀敷。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述铜接触部上形成表面精整层，其中，所述种子层沉积在所述表面精整层上。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二锡质量分数与所述第一锡质量分数相差所述第一锡质量分数的至少10％。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一微凸块的锡的总体积等于所述第一微凸块的镍的总体积的至少75％。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一微凸块的总的锡质量分数在50％至90％的范围内。

13.一种用于互连电路的器件，所述器件包括：

集成电路(IC)管芯；

衬底，包括：

具有形成在其中的通路孔的电介质层；

包括铜接触部的子表面水平金属层，每个铜接触部邻接相应的一个通路孔，所述铜接触部包括第一铜接触部；以及

沉积在所述第一铜接触部上的第一种子层部分，所述第一种子层部分包括铜；以及

焊接点，所述焊接点包括第一焊接点，所述第一焊接点包括锡和镍，其中，所述集成电路管芯和所述第一铜接触部经由所述第一焊接点彼此耦合，其中，所述第一焊接点的体积的底部10％具有第一锡质量分数，其中，所述第一焊接点的体积的顶部10％具有第二锡质量分数，并且其中，所述第二锡质量分数与所述第一锡质量分数相差所述第一锡质量分数的至少5％。