[发明专利]钪化合物的制造方法、钪化合物在审
| 申请号： | 201780049776.4 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109563565A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 桧垣达也;小林宙 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B1/02;C22B3/44 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钪化合物 草酸 草酸钪 制造 温度条件 易溶性 后液 烧成 优选 溶解 | ||
1.一种钪化合物的制造方法，其中，
对含有钪的溶液使用草酸实施草酸化处理，分离成草酸化后液和草酸钪结晶，
在400℃以上且600℃以下的范围的温度条件下，对所得到的所述草酸钪结晶进行烧成处理，由此得到钪化合物。
2.一种钪化合物的制造方法，其中，
对含有钪的溶液使用草酸实施草酸化处理，分离成草酸化后液和草酸钪结晶，
在400℃以上且800℃以下的范围的温度条件下，对所得到的所述草酸钪结晶进行烧成处理，由此得到钪化合物。
3.如权利要求1或2所述的钪化合物的制造方法，其中，
在所述烧成处理中，将所述草酸钪结晶保持1小时以上且12小时以下并进行烧成。
4.如权利要求1至3中任一项所述的钪化合物的制造方法，其中，
进行烧成处理而得到的所述钪化合物相对于所述烧成处理前的草酸钪结晶的重量的减量率在55％以上且65％以下的范围。
5.如权利要求1至4中任一项所述的钪化合物的制造方法，其中，
所述含有钪的溶液是对含有钪的溶液实施离子交换处理和/或溶剂提取处理而得到的。
6.一种钪化合物，其中，
使用X射线衍射法测定的位于衍射角2θ为12.3°位置处的峰的半值宽度为0.2以上或不被检测到、并且位于衍射角2θ为31.4°位置处的峰的半值宽度为0.2以上或不被检测到。
7.如权利要求6所述的钪化合物，其中，
根据位于衍射角2θ为12.3°或31.4°位置处的所述峰的半值宽度基于谢乐公式算出的微晶粒径为以下。
8.根据权利要求6或7所述的钪化合物，其中，
其BET比表面积为70m2/g以上，
使用X射线衍射法测定的氧化钪的峰强度为11000计数值以下。
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