[发明专利]包含进行了缩醛保护的硅烷醇基的聚硅氧烷组合物

权利要求书

1.一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，所述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si-C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在，

所述水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷，

R¹_aSi(R²)_4-a 式(1)

式(1)中，R¹为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、或氰基、且通过Si-C键与硅原子结合的有机基，R²表示烷氧基、酰氧基、或卤素基团，a表示0～2的整数，

硅烷醇基的缩醛保护是通过式(3)所示的乙烯基醚进行的，

所述式(3)中，R^1a、R^2a、和R^3a分别表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基，R^4a表示碳原子数1～10的烷基，R^2a与R^4a可以彼此结合而形成环。

2.根据权利要求1所述的被覆组合物或感光性组合物，式(1)所示的所述水解性硅烷包含式(1)中a为0的四烷氧基硅烷、式(1)中a为1的甲基三烷氧基硅烷、乙烯基三烷氧基硅烷或苯基三烷氧基硅烷、式(1)中a为2的二甲基二烷氧基硅烷中的任意种。

3.根据权利要求1所述的被覆组合物或感光性组合物，所述水解性硅烷以71摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～29摩尔％的比例包含式(1)中a为1的水解性硅烷。

4.根据权利要求1所述的被覆组合物或感光性组合物，所述水解性硅烷以85.5摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～14.5摩尔％的比例包含式(1)中a为2的水解性硅烷。

5.根据权利要求1所述的被覆组合物或感光性组合物，将硅烷醇基进行缩醛保护而获得的聚硅氧烷为具有式(2)所示的部分结构的聚硅氧烷，

所述式(2)中，R^1’、R^2’、和R^3’分别表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基，R⁴表示碳原子数1～10的烷基，R^2’与R^4’可以彼此结合而形成环，※符号表示与相邻原子的结合。

6.根据权利要求1所述的被覆组合物或感光性组合物，式(3)所示的乙烯基醚为乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、乙基己基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、3,4-二氢-2H-吡喃或2,3-二氢呋喃。

7.一种被覆组合物，是进一步包含热产酸剂或光产酸剂的权利要求1～6中任一项所述的被覆组合物，其被覆在抗蚀剂图案上、或被覆在已将抗蚀剂图案转印于下层的有机下层膜上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的被覆组合物，其进一步包含选自水、酸、猝灭剂、和固化催化剂中的一种以上。

9.一种抗蚀剂组合物，其在权利要求1～6中任一项所述的被覆组合物中进一步包含光产酸剂。

10.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上通过纳米压印法形成图案的工序(I)；在图案上涂布权利要求1～8中任一项所述的被覆组合物而埋入聚硅氧烷的工序(II)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，将通过纳米压印法形成的图案进行蚀刻或灰化而将图案反转的工序(III)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(IV)。