[发明专利]具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其包括：

两个以上被叠层的层，且

所述被叠层的层的各层包括SiC，与相邻的其他层具有不同的透射率值，

在所述被叠层的层的各层边界，色逐渐变化，

其中所述两个以上被叠层的层是利用不同位置的不同导入口群层叠的，且

其中在层叠所述两个以上被叠层的层的过程中温度保持不变。

2.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，所述被叠层的层的各层组成相同。

3.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，所述被叠层的层，被叠层在石墨母材上。

4.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，在所述被叠层的层的各层边界，包括一个以上的非正常结晶的成长断绝。

5.根据权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，所述半导体制造用部件作为等离子体处理装置部件，包括由环、电极单元及连接器形成的群中被选择的至少任何一个。

6.根据权利要求1至5的任何一个所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，还包括：

再生单元，包括形成在所述被叠层的层的至少一部分上的SiC。

7.根据权利要求6所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件，其中，包括所述SiC的再生单元及与所述再生单元相邻的被叠层的层间色不同。

8.一种在具备多个原料气体喷射导入口的化学气相沉积室内，如权利要求1所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件的制造方法，其步骤包括：

使用包括在所述多个原料气体喷射导入口中一部分的第一导入口群，叠层包括SiC的第一层；及

使用包括所述多个原料气体喷射导入口中其他一部分的第二导入口群，叠层包括SiC的第二层，

其中，在所述化学气相沉积室内，各个导入口群的位置不同，且

在沉积所述第一层和所述第二层的过程中温度保持不变。

9.根据权利要求8所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件的制造方法，其步骤还包括：

叠层所述第二层的步骤之后，使用第三导入口群，叠层包括SiC的第三层。

10.根据权利要求8所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件的制造方法，其中，在叠层各层的步骤之间，维持在化学气相沉积室内的所述SiC半导体制造用部件。

11.根据权利要求8所述的具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件的制造方法，其中，执行叠层各层步骤的时间不同。

12.一种在具备多个原料气体喷射导入口的化学气相沉积室内，具有透射率不同的多个层的SiC半导体制造用部件的制造方法，其步骤包括：

使用包括在所述多个原料气体喷射导入口中一部分的第一导入口群，叠层包括SiC的第一层；及

使用包括所述多个原料气体喷射导入口中其他一部分的第二导入口群，叠层包括SiC的第二层，

其步骤还包括：

在干式蚀刻装置，由等离子体处理所述SiC半导体制造用部件；及

在所述SiC半导体制造用部件的被叠层的层至少一部分上，形成包括SiC的再生单元，

所述第一层和所述第二层具有不同的透射率值，

在所述第一层和所述第二层的边界，色逐渐变化，

其中，在所述化学气相沉积室内，各个导入口群的位置不同，且

在沉积所述第一层和所述第二层的过程中温度保持不变。