[发明专利]用于等离子体室的隔离栅网

说明书

提供了用于等离子体处理装置的隔离栅网。在一些实施方案中，等离子体处理装置包括等离子体室。等离子体处理装置包括处理室。处理室可以与等离子体室隔开。该装置可以包括隔离栅网。隔离栅网可以将等离子体室与处理室隔开。该装置可以包括温度控制系统。温度控制系统可以配置成调节隔离栅网的温度以影响对基底的等离子体处理的均匀性。在一些实施方案中，隔离栅网可以在隔离栅网的整个截面上具有变化厚度的轮廓，以影响中性物质的通过隔离栅网的流动。

优先权要求

本申请要求于2016年8月18日提交的题为“Separation Grid for PlasmaChamber”的美国临时申请序列号第62/376,594号的优先权权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容一般地涉及用于使用等离子体源处理基底的装置、系统和方法。

背景技术

等离子体处理被广泛用于半导体工业中以进行半导体晶片和其他基底的沉积、蚀刻、抗蚀剂去除和相关处理。等离子体源(例如，微波、ECR、电感等)通常被用于等离子体处理以产生用于处理基底的高密度等离子体和反应性物质。

对于光致抗蚀剂剥离(例如，干法清洗)去除过程，可能不希望等离子体与基底直接相互作用。相反，等离子体可以主要用作用于改变气体组成并产生用于处理基底的化学活性自由基的中间体。因此，用于光致抗蚀剂应用的等离子体处理装置可以包括在其中处理基底的处理室，所述处理室与在其中产生等离子体的等离子体室隔开。

在一些应用中，可以使用栅网将处理室与等离子体室隔开。栅网可以对中性物质是可透过的，但对来自等离子体的带电粒子是不可透过的。栅网可以包括带孔的材料的片。根据工艺，栅网可以由导电材料(例如，Al、Si、SiC等)或不导电材料(例如，石英等)制成。

更换栅网可能是昂贵且漫长的过程，并且可能需要例如打开处理室。打开处理室会破坏处理室中的真空并且会使处理室暴露于大气。在处理室暴露于大气之后，通常必须再次复原。复原可能需要使用等离子体处理许多晶片，直到所有空气污染物都被除去并且等离子体室和处理室两者中的壁都达到合适的处理条件。另外，可能必须中断用于处理晶片的工艺流程，导致高昂的停机时间。

由于这种困难，许多制造商通过将处理室专用于特定处理(每种处理都拥有自己专门定制的隔离栅网)来避免更换栅网。如果晶片需要经受不同的处理，则可以将晶片送到不同的处理室。这可能是不方便的并且可能使制造过程的流程复杂化。然而，可以优选打开处理室以更换隔离栅网。

发明内容

本公开内容的实施方案的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或者可以从该描述中得知，或者可以通过实施方案的实践而得知。

本公开内容的一个示例性方面涉及等离子体处理装置。所述等离子体处理装置可以包括等离子体室和与等离子体室隔开的处理室。所述等离子体处理装置可以包括将等离子体室与处理室隔开的隔离栅网。所述等离子体处理装置还可以包括温度控制系统，所述温度控制系统配置成调节隔离栅网的温度以影响对基底的等离子体处理的均匀性。

本公开内容的另一个示例性方面涉及等离子体处理装置。所述等离子体处理装置可以包括等离子体室和与等离子体室隔开的处理室。所述等离子体处理装置可以包括将等离子体室与处理室隔开的隔离栅网。隔离栅网可以在所述隔离栅网的整个截面上具有变化厚度的轮廓，以影响中性物质的通过隔离栅网的流动。

本公开内容的另一些示例性方面涉及用于使用等离子体处理装置来等离子体处理基底的系统、方法、设备和过程。

参照以下描述和所附权利要求，各个实施方案的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。包括在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出本公开内容的实施方案，并且与描述一起用于说明相关原理。

附图说明

在说明书中参照附图针对本领域普通技术人员阐述了实施方案的详细讨论，在附图中：