[发明专利]用于提高半导体制造产率的方法

说明书

本公开的实施例提供了用于提高半导体制造产率的系统和方法。本公开的实施例提供了一种产率提高系统。该系统包括训练工具，该训练工具被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收而生成训练数据。该系统还包括点确定工具，该点确定工具被配置为基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2016年8月15日递交的美国申请62/375,257和于2017年8月9日递交的美国申请62/543,242的优先权，它们通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开一般地涉及半导体制造领域，更具体地涉及用于提高半导体制造产率的系统和方法。

背景技术

在集成电路(IC)的制造工艺中，检查未完成或完成的电路组件以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷。利用光学显微镜的检查系统可以提供高吞吐量，但是一般具有低至数百纳米的分辨率；并且分辨率受到光的波长的限制。随着IC组件的物理尺寸继续减小低至亚100甚至10纳米，需要比利用光学显微镜的检查系统更高分辨率的检查系统。

诸如扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)之类的具有低至纳米以下分辨率的带电粒子(例如，电子)束显微镜用作检查具有亚100纳米的特征尺寸的IC组件的实用工具。利用SEM，可以将单个主电子束的电子或多个主电子束的电子聚焦到所检查的晶片的探测点。原始电子与晶片的相互作用会产生一个或多个次级电子束。次级电子束可以包括由原始电子与晶片的相互作用产生的俄歇电子、次级电子、或背散射电子。一个或多个次级电子束的强度可以基于晶片的内部和/或外部结构的特性改变。但是，高分辨率的带电粒子束显微镜的吞吐量相比较低分辨率的光学显微镜显著降低。

不同的半导体制造工艺，例如，光阻涂覆、曝光、显影、蚀刻、和光阻去除(清洗)可以是成批工艺。成批工艺会导致成批的多个衬底(本文也称为晶片)的图案化不均匀。另外，如果在完成整个图案化工艺之后进行经过图案化的衬底的缺陷检查，有缺陷的晶片可能会被废弃或者可能会被转换为降级产品。这会导致半导体制造产率显著下降。

发明内容

本公开实施例提供了用于提高半导体制造产率的系统和方法。在一些实施例中，提供了一种产率提高系统。该系统包括训练工具，该训练工具被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收而生成训练数据。该系统还包括点确定工具，该点确定工具被配置为基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。

在一些实施例中，提供了一种产率提高方法。该方法包括：接收第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果；以及基于接收到的经验证的结果生成训练数据。该方法还包括：基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。

在一些实施例中，提供了一种非瞬态计算机可读存储介质。该介质存储有可由包括一个或多个处理器的计算设备执行的指令，所述指令使得计算设备执行产率提高方法。该方法包括：接收第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果；以及基于接收到的经验证的结果生成训练数据。该方法还包括：基于训练数据、第二衬底的弱点信息、以及用于第二衬底的扫描器的曝光方案，确定第二衬底上待检查的一个或多个区域。

所公开的实施例的附加目的和优点将部分在下面的描述中阐述，并且部分从本说明书变得显而易见，或者可以通过实施实施例习得。所公开的实施例的目的和优点可以由权利要求中给出的元件和组合达到和实现。

将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述只是示例性和说明性的，而不用于限制所公开的实施例(如请求保护)。

附图说明

图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性电子束检查系统的示意图。