[发明专利]电阻率标准样本的制造方法以及磊晶晶圆的电阻率测定方法

权利要求书

1.一种电阻率标准样本的制造方法，包含：

准备步骤，准备第一导电型单晶硅基板；

基板厚度测定步骤，使用以有对国家标准的追溯性的标准块规所校正的厚度测定机器，测定该第一导电型单晶硅基板的厚度；

气相沉积步骤，将具有与该第一导电型为相反导电型的第二导电型的第二导电型硅磊晶层予以于该第一导电型单晶硅基板上成长，而制作具有p-n接面的磊晶晶圆；

磊晶晶圆厚度测定步骤，使用该厚度测定机器而测定该磊晶晶圆的厚度；

厚度求取步骤，自该磊晶晶圆的厚度与该第一导电型单晶硅基板的厚度而求得该第二导电型硅磊晶层的厚度；以及

电阻率测定步骤，使用以有对电阻率标准物质的追溯性的电阻率测定机器而测定该硅磊晶层的电阻率，

其中该电阻率标准物质为NIST标准物质SRM2541至SRM2547中的至少一种。

2.如权利要求1所述的电阻率标准样本的制造方法，其中该第一导电型单晶硅基板的杂质浓度未达1×10¹⁸atoms/cm³。

3.如权利要求1所述的电阻率标准样本的制造方法，其中该第二导电型硅磊晶层的厚度为100μm以上200μm以下。

4.如权利要求2所述的电阻率标准样本的制造方法，其中该第二导电型硅磊晶层的厚度为100μm以上200μm以下。

5.一种磊晶晶圆的电阻率测定方法，将以如权利要求1至4中任一项所述的电阻率标准样本的制造方法所制作的电阻率标准样本作为二次标准样本使用，而校正表面电极的C-V法测定装置，且以该经校正的表面电极的C-V法测定装置将测定对象的磊晶晶圆的磊晶层电阻率予以测定。

6.一种磊晶晶圆的电阻率测定方法，使用以如权利要求1至4中任一项所述的电阻率标准样本的制造方法所制作的电阻率标准样本作为二次标准样本使用而经校正的表面电极的C-V法测定装置，将P/P型或N/N型硅磊晶晶圆的磊晶层电阻率予以测定而作为三次标准样本，使用该三次标准样本校正背面电极的C-V法测定装置，且以该经校正的背面电极的C-V法测定装置将测定对象的磊晶晶圆的磊晶层电阻率予以测定。