[发明专利]形成具有微锯齿的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片的激光系统和方法

权利要求书

1.一种高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，包含：

第一主表面；

与第一主表面相对的第二主表面；

至少99.9摩尔％的二氧化硅，其中该二氧化硅至少一般是无定形的，从而具有小于1重量％的结晶含量；以及

在第一主表面与第二主表面之间的小于500μm的平均厚度；

其中，在横截面中，第一主表面具有沿着第一主表面的小凹口，其中，至少十个小凹口具有：

至少25nm但不超过1μm的深度，该深度相对于相应凹口的任一侧上的相邻局部冠状物中的较高者来测量，

在相邻的局部冠状物之间的至少5μm的宽度，和

至少500μm的长度。

2.如权利要求1所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，所述凹口为锯齿状，使得至少一些凹口具有通常平坦的底表面且至少一些相应的相邻冠状物具有通常为平台的顶表面，该顶表面通过成陡峭角度的侧壁与底表面偏离。

3.如权利要求1所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，至少10个小凹口沿着第一主表面各自与至少一个另外的小凹口相差在1000μm以内，并且至少三个凹口彼此并排排成一排，每个凹口的深度与该三个凹口的平均深度相差20％以内。

4.如权利要求1所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，小凹口沿着其长度弯曲。

5.如权利要求4所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，小凹口的曲线与直线偏离至少10度。

6.如权利要求5所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，曲线沿着小凹口的长度在500μm的距离内转向至少10度但不超过360度。

7.如权利要求6所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，转向位置处的各小凹口沿着转向处保持彼此分离。

8.如权利要求6所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，小凹口沿着小凹口的长度以连续转向的形式弯曲至少90度。

9.如权利要求6所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，所述曲线一般形成具有圆化顶点的多边形。

10.如权利要求6所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，各凹口在各局部冠状物之间的宽度为至少50μm，并且所述小凹口各自的深度为至少100nm但不超过500nm，所述深度相对于相应凹口的任一侧上的相邻的局部冠状物中的较高者测量。

11.如权利要求10所述的高纯度熔凝二氧化硅玻璃片，其中，各凹口的长度为至少2500μm。

12.一种电子器件，其包括：

薄基材，其包含厚度为500μm或更小的高纯度熔凝二氧化硅片，其中，所述高纯度熔凝二氧化硅片在其主表面上包含凹口，其中所述凹口为锯齿状，使得至少一些凹口具有一般为平坦的底表面且至少一些相应的相邻冠状物具有一般为平台的顶表面，所述顶表面通过成陡峭角度的侧壁与底表面偏离；和

金属层，其与薄基材连接并覆盖凹口，其中，面向锯齿的金属层的下侧被织构化成某一图案，该图案与锯齿的几何形状反相关，使得高纯度熔凝二氧化硅片的主表面上的冠状物对应于金属层的下侧上的凹口，而金属层的下侧上的凹口对应于基材的高纯度熔凝二氧化硅片的主表面上的冠状物。

13.如权利要求12所述的电子器件，其中，所述凹口为小凹口，每个凹口的深度为至少25nm且不超过1μm，所述深度相对于相应凹口的任一侧上的相邻局部冠状物中的较高者测量，其中各凹口在相邻的局部冠状物之间具有至少为5μm的宽度，并且各凹口的长度为至少500μm。

14.如权利要求13所述的电子器件，其中，金属层直接接触薄基材。