[发明专利]MEMS设备和方法

权利要求书

1.一种MEMS换能器，包括：

一个基底，所述基底具有一个腔；

一个膜材料层，所述膜材料层相对于所述基底设置，其中所述膜材料层在所述腔上方延伸；

一个导电材料层，所述导电材料层设置在所述膜材料层的表面上；

所述导电材料层包括至少一个第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域具有第一厚度和第一电导率，所述第二区域具有第二厚度和第二电导率，其中所述导电材料层的所述第一区域和所述第二区域表现出不同的电导率；

其中所述第一区域和所述第二区域设置在相对于所述膜材料层的柔性膜区域的x/y平面的不同位置，其中所述x/y平面由所述柔性膜区域的平面定义。

2.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中所述第一区域和所述第二区域在所述膜材料层的表面上形成电连续导电层。

3.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS换能器，其中所述导电材料层的所述第二区域包括导电材料的第一子层和第二子层。

4.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中所述子层中的至少一个包括一个具有至少一个开口的导电材料层。

5.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中至少一个第一区域设置在所述膜材料层的覆盖所述基底腔的区域上。

6.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中形成所述第一区域的导电材料层的导电材料包括一个导电材料的连续片材。

7.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中形成所述第一区域的导电材料层的导电材料包括一个具有至少一个开口的导电材料层。

8.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述导电材料层形成所述换能器的膜电极。

9.根据权利要求8所述的MEMS换能器，其中所述导电材料层形成一个导电线路，所述导电线路在所述膜电极和用于将所述膜电极电耦合到用于读出的电路系统的区域之间延伸。

10.根据权利要求9所述的MEMS换能器，其中所述线路至少部分由至少一个第二区域形成。

11.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述导电材料层的至少一个第二区域设置在所述膜材料层的表面的一个区域上，该区域在所述膜材料层的覆盖所述腔的区域的横向外侧。

12.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述膜材料层表现出至少一个在第一水平和第二水平之间的阶跃，并且其中至少一个第二区域设置在所述膜材料层的包括所述阶跃的区域上。

13.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述第二区域包括一个或多个元件或互连线路，所述一个或多个元件或互连线路设置在所述膜材料层的覆盖所述腔的区域上。

14.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中所述第一区域表现出比所述第二区域低的电导率。

15.根据权利要求14所述的MEMS换能器，其中所述第一区域包括导电介质材料。

16.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述第二区域包括金属材料或金属合金材料。

17.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述膜材料层包括晶体材料或多晶材料。

18.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述导电材料层包括三个或更多个区域，每个区域具有与其他区域不同的厚度和/或电导。