[发明专利]外延硅晶片的制造方法、外延硅晶片及固体摄像元件的制造方法

权利要求书

1.一种外延硅晶片的制造方法，其特征在于,包括：

第1工序，在氧浓度为2×10¹⁷atoms/cm³以上的硅晶片上形成表层部的氧浓度为2×10¹⁶atoms/cm³以下的第1硅外延层；

第2工序，对所述第1硅外延层的所述表层部照射包含碳的第1离子，而形成对所述第1硅外延层的所述表层部注入所述碳而成的第1改性层；以及

第3工序，在所述第1改性层上形成第2硅外延层；并且

在所述第3工序之后，获得所述第1改性层中的氧浓度分布的峰浓度为2×10¹⁷atoms/cm³以下，且所述第2硅外延层的氧浓度为2×10¹⁶atoms/cm³以下的外延硅晶片。

2.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其中，

所述第1离子为包含碳作为构成元素的簇离子。

3.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其中，

以所述第2工序之前的所述表层部的氧浓度成为2×10¹⁶atoms/cm³以下的方式，在所述第1工序中，根据所述硅晶片的氧浓度来确定所述第1硅外延层的厚度。

4.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其中，

以所述第2工序之前的所述表层部的氧浓度成为2×10¹⁶atoms/cm³以下的方式，在所述第1工序之前，对所述硅晶片照射包含碳的第2离子，而进一步形成对所述硅晶片的表层部注入所述碳而成的第2改性层。

5.根据权利要求4所述的外延硅晶片的制造方法，其中，

所述第2离子为包含碳作为构成元素的簇离子。

6.根据权利要求1所述的外延硅晶片的制造方法，其中，

所述第1硅外延层的掺杂剂浓度为所述第2硅外延层的掺杂剂浓度以下。

7.根据权利要求6所述的外延硅晶片的制造方法，其中，

所述第1硅外延层中未添加有掺杂剂。

8.一种外延硅晶片，其特征在于，具有：

氧浓度为2×10¹⁷atoms/cm³以上的硅晶片；

第1硅外延层，形成于所述硅晶片上；

第1改性层，形成于所述第1硅外延层的表层部，由注入碳而成；以及

第2硅外延层，形成于所述第1改性层上；并且

所述第1改性层中的氧浓度分布的峰浓度为2×10¹⁷atoms/cm³以下，且所述第2硅外延层的氧浓度为2×10¹⁶atoms/cm³以下。

9.根据权利要求8所述的外延硅晶片，其中，

所述第1硅外延层的掺杂剂浓度为所述第2硅外延层的掺杂剂浓度以下。

10.根据权利要求9所述的外延硅晶片，其中，

所述第1硅外延层中未添加有掺杂剂。

11.一种固体摄像元件的制造方法，其特征在于，

在利用权利要求1至7中任一项所述的制造方法制造的外延硅晶片或权利要求8至10中任一项所述的外延硅晶片的所述第2硅外延层上，形成固体摄像元件。