[发明专利]密封材料组成物、液晶单元以及液晶单元的制造方法

说明书

为了提供一种在用于扫描天线等的液晶单元中抑制电压保持率的降低的密封材料组成物等，本发明的密封材料组成物具备：光自由基聚合引发剂，若经具有450nm以上的波长的光照射则产生自由基；及聚合成分，包含利用自由基而能够聚合的聚合性官能基。

技术领域

本发明涉及一种密封材料组成物、液晶单元以及液晶单元的制造方法。

背景技术

用于移动体通信、卫星广播等的天线需要可变更波束方向的波束扫描功能。作为具有这种功能的天线，已提出了利用液晶材料(包括向列液晶、高分子分散液晶)的大介电各向异性(双折射率)的扫描天线(例如专利文献1～3)。这种扫描天线具备在一对带电极的基板间夹持液晶层的结构(即，扫描天线用液晶单元)。

现有技术文献

非专利文件

[专利文献1]日本专利特表2013-539949号公报

[专利文献2]日本专利特表2016-512408号公报

[专利文献3]日本专利特表2009-538565号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

扫描天线中，需要在吉赫频段中具有足够水平的介电常数各向异性(Δε)的液晶化合物。因此，作为扫描天线用的液晶化合物，具备高介电常数各向异性的含异硫氰酸酯基的液晶化合物的使用已实质上成为必不可少的状态。

但是，含异硫氰酸酯基的液晶化合物具备对光(紫外线、可见光等)的耐受性弱的性质。因此，例如在包括利用ODF(One drop fill，液晶滴注)法来赋予液晶材料的步骤的液晶单元制造方法中，若对贴合前的基板上形成的未硬化的框状密封材料(密封材料组成物)照射光(例如紫外线)，则此光的一部分会照射至位于框状密封材料的内侧的液晶材料(含异硫氰酸酯基的液晶化合物等)，导致一部分液晶材料劣化。其结果为，有时含异硫氰酸酯基的液晶化合物的光反应物导致液晶单元的基板间的电压保持率(VHR：Voltage HoldingRatio)大幅降低。若电压保持率降低，则扫描天线产生动作不良，因而成问题。

此处，一面参照图1一面对在液晶单元内由含异硫氰酸酯基的液晶化合物形成导致电压保持率降低的杂质的机制进行说明。图1是表示由含异硫氰酸酯基的液晶化合物形成含有稳定自由基的杂质的机制的说明图。如图1所示，化学式(a-1)所示的含异硫氰酸酯基的液晶化合物具备异硫氰酸酯基键合于亚苯基的结构(-C₆H₄-N＝C＝S)，此异硫氰酸酯基容易与从液晶单元的外部渗入的水分(H₂O)、或存在于周围的具备活性氢的官能基(例如羧基、羟基等)反应。这种反应的结果为，由含异硫氰酸酯基的液晶化合物而形成具有硫氨基甲酸酯键的化合物、或化学式(a-2)所示那样的具有其他键(-C₆H₄-NH-CS-O-)的化合物。这些键合若受到光照射则容易裂解(光裂解)，形成化学式(a-3)及化学式(a-4)所示那样的各自含有自由基的一组化合物。

这些化合物中，化学式(a-3)所示的化合物特别容易与氧反应。若化学式(a-3)被氧化，则形成含有活性高的稳定自由基的化合物(化学式(a-5)所示的化合物)。这种自由基在液晶层中难以消失，因而由自由基导致液晶层中产生离子成分的几率变高，引起液晶单元的电压保持率降低。

此外，含异硫氰酸酯基的液晶化合物通常具备多个亚苯基相连的结构。亚苯基的个数越多，在长波长区域(350nm以上或400nm以上的光)中越容易引起光吸收。而且，若在多个亚苯基之间含有二苯乙炔(tolan)基，则更容易吸收长波长(400nm以上或420nm以上的光)，而容易引起所述硫氨基甲酸酯键等的光裂解所致的自由基形成、及对所形成的自由基的氧化反应。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在用于扫描天线等的液晶单元中抑制电压保持率的降低的密封材料组成物等。