[发明专利]存储装置及其工作方法、半导体装置、电子构件以及电子设备在审
| 申请号： | 201780052545.9 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109643572A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 石津贵彦;长塚修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C11/405 | 分类号： | G11C11/405;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅;张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 读出字线 电位 读出位线 源极线 参考位线 存储单元 存储装置 读出电路 复制单元 写入位线 写入字线 电连接 布线 半导体装置 串联电连接 电子构件 电子设备 位线 输出 | ||
1.一种存储装置，包括
第一单元；
第二单元；
读出电路；
第一字线；
第二字线；
第三字线；
第一位线；
第二位线；
第三位线；
源极线；以及
第一布线，
其中，所述第一单元包括第一晶体管及第二晶体管，
所述第一晶体管的栅极、第一端子及第二端子分别电连接于所述第三字线、所述第三位线及所述第二晶体管的第一端子，
所述第二晶体管的栅极及第二端子分别电连接于所述第一布线及所述源极线，
所述第二单元包括第三晶体管、第四晶体管及电容器，
所述第三晶体管的栅极、第一端子及第二端子分别电连接于所述第一字线、所述第一位线及所述第四晶体管的栅极，
所述电容器的第一端子及第二端子分别电连接于所述第四晶体管的所述栅极及所述第二字线，
所述第四晶体管的第一端子及第二端子分别电连接于所述源极线及所述第二位线，
所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述第四晶体管具有相同的导电型，
并且，所述读出电路对所述第三位线的电位与所述第二位线的电位进行比较且输出基于所述比较结果的电位。
2.根据权利要求1所述的存储装置，
其中包括位线代替所述第一位线及所述第二位线，
并且所述第三晶体管的所述第一端子及所述第四晶体管的所述第二端子与所述位线电连接。
3.根据权利要求1所述的存储装置，
其中所述第三晶体管的沟道形成区域包含金属氧化物。
4.一种半导体装置，包括：
处理器核心；
存储器部；以及
总线，
其中，所述存储器部包括权利要求1所述的存储装置，
并且，在所述处理器核心与所述存储器部之间通过所述总线进行信号及数据的传送。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中，所述存储器部包括DRAM、SRAM、快闪存储器、铁电RAM、磁阻RAM、阻变RAM和相变RAM中的至少一个。
6.一种存储装置，包括：
第一单元；
第二单元；
读出电路；
第一字线；
第二字线；
第三字线；
第一位线；
第二位线；
第三位线；
源极线；以及
第一至第三布线，
其中，所述第一单元包括第一晶体管及第二晶体管，
所述第一晶体管的栅极、第一端子及第二端子分别电连接于所述第三字线、所述第三位线及所述第二晶体管的第一端子，
所述第二晶体管的栅极及第二端子分别电连接于所述第一布线及所述第二布线，
所述第二单元包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及电容器，
所述第三晶体管的栅极、第一端子及第二端子分别电连接于所述第一字线、所述第一位线及所述第四晶体管的栅极，
所述电容器的第一端子及第二端子分别电连接于所述第四晶体管的所述栅极及所述第三布线，
所述第四晶体管的第一端子及第二端子分别电连接于所述第二布线及所述第五晶体管的第一端子，
所述第五晶体管的栅极及第二端子分别电连接于所述第二字线及所述第二位线，
所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管及所述第五晶体管具有相同的导电型，
并且，所述读出电路对所述第三位线的电位与所述第二位线的电位进行比较且输出基于所述比较结果的电位。
7.根据权利要求6所述的存储装置，
其中包括位线代替所述第一位线及所述第二位线，
并且在所述存储单元中所述第三晶体管的所述第一端子及所述第五晶体管的所述第二端子与所述位线电连接。
8.根据权利要求6所述的存储装置，
其中所述第三晶体管的沟道形成区域包含金属氧化物。
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