[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件

权利要求书

1.一种磁壁利用型模拟存储元件，其中，

具备：

磁化固定层，其磁化沿第一方向取向；

非磁性层，其设于所述磁化固定层的一面；

磁壁驱动层，其相对于所述磁化固定层夹着所述非磁性层而设置；以及

第一磁化供给单元和第二磁化供给单元，所述第一磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿所述第一方向取向的磁化，所述第二磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿与所述第一方向相反的第二方向取向的磁化，

所述磁壁驱动层具有沿所述第一方向磁化的第一区域、沿所述第二方向磁化的第二区域、以及形成所述第一区域和所述第二区域的界面的磁壁，

所述第一磁化供给单元和所述第二磁化供给单元中的至少一方是与所述磁壁驱动层相接且沿相对于所述磁壁驱动层交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。

2.根据权利要求1所述的磁壁利用型模拟存储元件，其中，

所述自旋轨道转矩配线设置于比所述磁壁驱动层更靠基板侧。

3.一种磁壁利用型模拟存储元件，其中，

具备：

磁化固定层，其磁化沿第一方向取向；

非磁性层，其设于所述磁化固定层的一面；

磁壁驱动层，其相对于所述磁化固定层夹着所述非磁性层而设置；以及

第一磁化供给单元和第二磁化供给单元，所述第一磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿所述第一方向取向的磁化，所述第二磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿与所述第一方向相反的第二方向取向的磁化，

所述磁壁驱动层具有沿所述第一方向磁化的第一区域、沿所述第二方向磁化的第二区域、以及形成所述第一区域和所述第二区域的界面的磁壁，

所述第一磁化供给单元和所述第二磁化供给单元中的至少一方是与所述磁壁驱动层电绝缘且沿相对于所述磁壁驱动层交叉的方向延伸的磁场施加配线。

4.根据权利要求3所述的磁壁利用型模拟存储元件，其中，

所述磁场施加配线被配置为能够供给所述磁壁驱动层的面内磁化。

5.根据权利要求3所述的磁壁利用型模拟存储元件，其中，

所述磁场施加配线被配置为能够供给所述磁壁驱动层的法线方向磁化。

6.一种磁壁利用型模拟存储元件，其中，

具备：

磁化固定层，其磁化沿第一方向取向；

非磁性层，其设于所述磁化固定层的一面；

磁壁驱动层，其相对于所述磁化固定层夹着所述非磁性层设置；以及

第一磁化供给单元和第二磁化供给单元，所述第一磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿所述第一方向取向的磁化，所述第二磁化供给单元向所述磁壁驱动层供给沿与所述第一方向相反的第二方向取向的磁化，

所述磁壁驱动层具有沿所述第一方向磁化的第一区域、沿所述第二方向磁化的第二区域、以及形成所述第一区域和所述第二区域的界面的磁壁，

所述第一磁化供给单元和所述第二磁化供给单元中的至少一方是经由绝缘层与所述磁壁驱动层连接的电压施加单元。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的磁壁利用型模拟存储元件，其中，

还具备电流控制单元，在进行读出时，所述电流控制单元使电流在所述磁化固定层和在所述磁壁驱动层中磁化沿与所述第一方向相反的第二方向取向的区域之间流动。

8.一种磁壁利用型模拟存储器，其具备多个权利要求1～7中任一项所述的磁壁利用型模拟存储元件。

9.一种非易失性逻辑电路，其中，

具备：

将权利要求1～7中任一项所述的磁壁利用型模拟存储元件呈阵列状配置的磁壁利用型模拟存储器、和位于所述阵列内或所述阵列外的任一方的STT-MRAM，

所述非易失性逻辑电路具有存储功能和逻辑功能，作为存储功能，具备所述磁壁利用型模拟存储元件及所述STT-MRAM。

10.一种磁神经元件，其中，

具备权利要求1～7中任一项所述的磁壁利用型模拟存储元件，

所述磁壁驱动层具有沿长边方向排列的第一存储部和夹着该第一存储部的第二存储部及第三存储部，

所述磁神经元件具备电流源，该电流源具有控制电路，该控制电路控制写入电流，使磁壁能够按顺序以至少一次停留于所述第一存储部、所述第二存储部及所述第三存储部的所有的存储部的方式移动。