[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 201780052889.X | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109643764B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 荒浪顺次 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H10K30/10 | 分类号: | H10K30/10;H10K30/82;H10K39/18;H10K85/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
太阳能电池具备多个元件、连接部和透明部。多个元件包括沿着第一方向平面地排列的第一元件和第二元件。连接部电连接第一元件和第二元件。透明部位于连接部和第二元件之间。各元件具有第一电极层、第二电极层及这些层间的半导体层。在第一元件与第二元件之间,第一电极层夹着第一间隙。在第一元件与第二元件之间,第二电极层夹着第二间隙。第二间隙比第一间隙更向第一方向偏离。连接部电连接第一元件的第二电极层和第二元件的第一电极层。在第一元件的第二电极层和第二元件的第一电极层之间,透明部存在于比连接部更向第一方向偏离的位置且透光性高于半导体层。第一电极层及第二电极层的一层以上的电极层的透光性高于半导体层。
技术领域
本公开涉及太阳能电池及太阳能电池的制造方法。
背景技术
太阳能电池中有晶体系的太阳能电池和薄膜系的太阳能电池。薄膜系的太阳能电池一般具有排列于基板上的多个太阳能电池元件被串联地电连接的结构(例如,参照日本特开2007-317858号公报的记载)。
发明内容
公开一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。
太阳能电池的一方式具备多个太阳能电池元件、连接部和透明部。所述多个太阳能电池元件包括沿着第一方向平面地排列且相邻的第一太阳能电池元件和第二太阳能电池元件。所述连接部对所述第一太阳能电池元件与所述第二太阳能电池元件进行电连接。所述透明部位于所述连接部与所述第二太阳能电池元件之间。各所述太阳能电池元件具有第一电极层、第二电极层和位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的半导体层。所述第一太阳能电池元件的所述第一电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第一电极层夹着第一间隙而排列。所述第一太阳能电池元件的所述第二电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第二电极层夹着第二间隙而排列。所述第二间隙存在于比所述第一间隙更向所述第一方向偏离的位置。所述连接部对所述第一太阳能电池元件的所述第二电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第一电极层进行电连接。所述透明部在所述第一太阳能电池元件的所述第二电极层和所述第二太阳能电池元件的所述第一电极层之间,存在于比所述连接部更向所述第一方向偏离的位置,且透光性高于所述半导体层,所述第一电极层及所述第二电极层之中的至少一方的电极层的透光性高于所述半导体层。
太阳能电池的制造方法的一方式具有工序(a)~工序(d)。在所述工序(a)中,准备基板。在所述工序(b)中,在所述基板的表面上形成沿着第一方向平面地排列的第一层的第一电极层和第二层的第一电极层。在所述工序(c)中,在所述第一层的第一电极层及所述第二层的第一电极层上形成钙钛矿太阳能电池用的半导体区域。在所述工序(d)中,形成连接部和第二电极层。所述连接部位于所述半导体区域之中的沿着所述第一方向平面地排列的第一层的半导体层和第二层的半导体层之间的间隙,且处于与所述第二层的第一电极层电连接的状态。所述第二电极层位于所述第一层的半导体层上,且处于与所述连接部电连接的状态。在形成所述半导体区域之后,通过加热位于所述半导体区域之中的所述第二层的第一电极层上的一部分,从而提高该一部分的透光性。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的太阳能电池的一例的结构的俯视图。
图2是表示沿着图1的II-II线的太阳能电池的剖面的剖视图。
图3是表示太阳能电池的制造方法的一例所涉及的流程的流程图。
图4是表示制造太阳能电池的中途的状态的一例的剖视图。
图5是表示制造太阳能电池的中途的状态的一例的剖视图。
图6是表示制造太阳能电池的中途的状态的一例的剖视图。
图7是表示制造太阳能电池的中途的状态的一例的剖视图。
图8是表示制造太阳能电池的中途的状态的一例的剖视图。
图9是表示制造太阳能电池的中途的状态的一例的剖视图。
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