[发明专利]传感器芯片和电子装置在审
申请号: | 201780053235.9 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN109643722A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 田中章;大竹悠介;若野寿史 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/107 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 配线层 像素 雪崩光电二极管 阴极 传感器基板 光接收区域 像素阵列 传感器芯片 阳极 电子装置 摄像装置 电连接 入射光 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
传感器基板,其包括具有至少一个第一像素的像素阵列,所述第一像素包括:
雪崩光电二极管,其包括光接收区域、阴极和阳极;和
配线层,其电连接到所述阴极并且布置在所述传感器基板中,使得所述配线层位于入射光的离开所述光接收区域的路径中。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述传感器基板还包括:
隔离部,其位于所述第一像素的外围区域处,使所述第一像素与相邻于所述第一像素的至少一个第二像素隔离。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述隔离部还包括:
绝缘材料,其使所述第一像素与所述第二像素电隔离;和
反射材料,其将入射到所述外围区域的光向所述光接收区域反射。
4.根据权利要求3所述的摄像装置,其中,所述隔离部位于所述传感器基板的沟槽中,并且其中,所述绝缘材料围绕所述沟槽中的所述反射材料。
5.根据权利要求4所述的摄像装置,其中,所述反射材料是导电的。
6.根据权利要求2所述的摄像装置,其还包括:
逻辑基板,其包括一个以上的第一导电焊盘,所述一个以上的第一导电焊盘接合于所述传感器基板的一个以上的第二导电焊盘。
7.根据权利要求6所述的摄像装置,其中,所述一个以上的第二导电焊盘包括:
第一导电焊盘,其电连接到所述阳极;
第二导电焊盘,其电连接到所述配线层;以及
第三导电焊盘,其电连接到所述隔离部并且被配置成用于向所述隔离部施加来自所述逻辑基板的偏置电压。
8.根据权利要求6所述的摄像装置,其中,所述传感器基板还包括:
遮光膜,其位于所述配线层与所述一个以上的第二导电焊盘之间。
9.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,所述遮光膜包括电连接到所述隔离部的部分。
10.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述传感器基板还包括:
透镜,其布置在所述光接收区域和所述配线层之间。
11.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述传感器基板还包括:
反射膜,其位于所述光接收区域和所述配线层之间。
12.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,在平面图中,所述隔离部形成网格图案,以使所述第一像素与所述第二像素和其它周围像素隔离。
13.根据权利要求12所述的摄像装置,其中,在所述平面图中,所述配线层位于所述第一像素的中心部分并且覆盖所述阴极。
14.一种摄像装置,其包括:
逻辑基板,其用于处理图像信号;
传感器基板,其包括至少一个第一像素,所述第一像素包括:
雪崩光电二极管,其包括光接收区域、阴极和阳极;和
配线层,其电连接于所述阴极并且电连接在所述光接收区域和所述逻辑基板之间,使得所述配线层位于入射光离开所述光接收区域的路径中;以及
接合部,其使所述传感器基板电连接于所述逻辑基板。
15.根据权利要求14所述的摄像装置,其中,所述传感器基板还包括:
隔离部,其使所述第一雪崩光电二极管与相邻于所述第一像素的至少一个第二像素隔离。
16.根据权利要求15所述的摄像装置,其中,所述接合部包括:
所述逻辑基板的一个以上的第一导电焊盘,所述一个以上的第一导电焊盘接合于所述传感器基板的一个以上的第二导电焊盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780053235.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于高速成像传感器数据传送的设备
- 下一篇:图像传感器及相关手持装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的