[发明专利]高性能超导体带材的质量控制

权利要求书

1.一种超导体带材，包括：

衬底；

缓冲层，覆盖在所述衬底上方；以及

超导体膜，覆盖在所述缓冲层上方；

其中所述超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。

2.根据权利要求1所述的超导体带材，其中所述超导体膜的长度超过10米。

3.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜包括5至30mol％的掺杂剂，所述掺杂剂选自包含Zr、Sn、Ta、Nb、Hf、Ce及其组合的组。

4.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜包括BaMO₃，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且具有沿着从所述超导体膜的(00l)峰的轴起在60°至90°之间的轴进行延伸的BaMO₃的(101)峰。

5.一种超导体带材，包括：

衬底；

缓冲层，覆盖在所述衬底上方；以及

超导体膜，覆盖在所述缓冲层上方；

其中所述超导体膜包括BaMO₃，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且具有沿着从所述超导体膜的(001)峰的轴起在60°至90°之间的轴进行延伸的BaMO₃的(101)峰。

6.根据权利要求5所述的超导体带材，其中通过X射线衍射来测量BaMO₃的(101)峰。

7.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜的长度超过10米。

8.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜包括5至30mol％的掺杂剂，所述掺杂剂选自包含Zr、Sn、Ta、Nb、Hf、Ce及其组合的组。

9.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。

10.一种超导体带材，包括：

衬底；

缓冲层，覆盖在所述衬底上方；以及

超导体膜，覆盖在所述缓冲层上方；

其中所述超导体膜包括BaMO₃，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且当通过使用铜kα辐射的X射线衍射来测量时，所述所述超导体膜具有位于高于30°的2θ角处的BaMO₃的(101)峰。

11.根据权利要求10所述的超导体带材，其中所述超导体膜包括5至30mol％的掺杂剂，所述掺杂剂选自包含Zr、Sn、Ta、Nb、Hf、Ce及其组合的组。

12.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。

13.一种超导体带材，包括：

衬底；

缓冲层，覆盖在所述衬底上方；以及

超导体膜，覆盖在所述缓冲层上方；

其中所述超导体膜包括BaMO₃，其中M＝Zr、Sn、Ta、Nb、Hf或Ce，并且当通过使用铜kα辐射的X射线衍射来测量时，所述所述超导体膜具有位于从超导体相的(103)峰起小于2.6°的2θ角处的BaMO₃的(101)峰。

14.根据权利要求13所述的超导体带材，其中所述超导体膜包括5至30mol％的掺杂剂，所述掺杂剂选自包含Zr、Sn、Ta、Nb、Hf、Ce及其组合的组。

15.根据上述权利要求中任一项所述的超导体带材，其中所述超导体膜被定义为具有高于11.74埃的c轴晶格常数。