[发明专利]用于原子层蚀刻(ALE)的终点检测算法在审
| 申请号： | 201780053849.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109643673A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈艳;田新康;贾森·弗恩斯 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;席兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 步骤过程 等离子体处理系统 蚀刻 光发射光谱 平均滤波器 瞬态信号 信号同步 应用移动 终点检测 终点确定 原子层 解吸 滤波 吸附 算法 架构 | ||
1.一种用于确定等离子体处理系统中的过程终点数据的方法，其包括：
接收来自所述等离子体处理系统的对基板执行多步骤等离子体过程的等离子体处理室的光学发射光谱(OES)数据，其中循环多步骤等离子体过程包括循环重复的至少两个过程步骤；
确定所述所接收的OES数据的第一静止部分，所述第一静止部分是所述多步骤等离子体过程的经滤波的过程步骤的平均值；以及
确定所确定的第一静止部分的第一终点。
2.根据权利要求1所述的方法，其中多步骤过程是原子层蚀刻(ALE)过程。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少两个过程步骤包括吸附步骤和解吸步骤，其中所述经滤波的过程步骤包括瞬态信号-经滤波的吸附步骤或瞬态信号-经滤波的解吸步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其中接收光学发射光谱(OES)数据与循环重复的所述至少两个过程步骤同步。
5.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
在确定所述第一静止部分之前，移除与切换所述至少两个过程步骤相关联的瞬态。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一静止部分是从在所述多步骤等离子体过程的所述至少两个过程步骤的选定的过程步骤期间获取的OES数据的上包络线导出的。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述选定的过程步骤是原子层蚀刻(ALE)过程的吸附步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其还包括：确定所述所接收的OES数据的第二静止部分，所述第二静止部分是原子层蚀刻(ALE)过程的解吸步骤的平均值。
9.根据权利要求8所述的方法，其还包括：确定所述第一静止部分和所述第二静止部分的平均值。
10.根据权利要求9所述的方法，其中确定终点基于所确定的第二静止部分。
11.根据权利要求9所述的方法，其中确定终点基于所述第一静止部分和所述第二静止部分的平均值。
12.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一静止部分包括将移动平均滤波器应用于所述经滤波的过程步骤。
13.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在基于第二静态信号确定所述终点之前，移除所述所接收的OES数据的瞬态信号。
14.根据权利要求13所述的方法，其中基于所述第二静态数据确定第二终点包括主成分分析。
15.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一终点包括主成分分析。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780053849.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
