[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和位于上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，

上述显示区域具有：基板；多个栅极总线，其在上述基板上由第1金属膜形成；多个源极总线，其在上述基板上由第2金属膜形成；以及驱动电路，其支撑于上述基板，

上述驱动电路包含第1电路TFT，

上述多个像素区域中的每一个像素区域包含像素TFT和连接到上述像素TFT的像素电极，

上述多个像素区域中的至少1个像素区域还包含上述第1电路TFT和连接到上述第1电路TFT的驱动电路配线，

上述像素TFT和上述第1电路TFT分别是氧化物半导体TFT，包含：栅极电极；氧化物半导体层；栅极绝缘层，其配置在上述栅极电极与上述氧化物半导体层之间；以及源极电极和漏极电极，其电连接到上述氧化物半导体层，

上述像素TFT的上述漏极电极与上述像素电极电连接，上述像素TFT的上述栅极电极电连接到上述多个栅极总线中的任意一个栅极总线，上述像素TFT的上述源极电极电连接到上述多个源极总线中的任意一个源极总线，

上述像素电极由上部透明导电膜形成，

上述驱动电路配线包含透明配线部，上述透明配线部由位于比上述上部透明导电膜靠上述基板侧的下部透明导电膜形成，

上述第1电路TFT的上述源极电极和上述漏极电极中的至少一方由上述下部透明导电膜形成，

上述非显示区域具备支撑于上述基板的周边电路，

上述周边电路包含多个周边电路TFT，上述多个周边电路TFT包含第2电路TFT，

上述第2电路TFT是结晶质硅TFT，包含：其它栅极电极；结晶质硅半导体层；其它栅极绝缘层，其配置在上述其它栅极电极与上述结晶质硅半导体层之间；以及其它源极电极和其它漏极电极，其与上述结晶质硅半导体层接触。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述像素TFT的上述源极电极由上述第2金属膜形成。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述像素TFT的上述源极电极由上述下部透明导电膜形成。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述透明配线部包含上述第1电路TFT的上述源极电极和上述漏极电极。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述像素TFT的上述漏极电极是使用上述上部透明导电膜而与上述像素电极一体地形成的。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述多个像素区域在第1方向和第2方向上排列成矩阵状，

上述驱动电路配线的上述透明配线部包含在上述第1方向或上述第2方向上横穿上述至少1个像素区域而延伸的部分。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述第1电路TFT和上述像素TFT具有底栅结构，上述第2电路TFT具有顶栅结构，

上述第1电路TFT及上述像素TFT的上述栅极电极和上述第2电路TFT的上述其它栅极电极均由上述第1金属膜形成，

上述第2电路TFT的上述结晶质硅半导体层配置在比上述第1金属膜靠上述基板侧。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，

上述驱动电路配线包含连接部分，上述连接部分是与上述结晶质硅半导体层由相同结晶质硅膜形成的。

9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，

上述驱动电路配线还包含第1金属部分和第2金属部分，上述第1金属部分和上述第2金属部分由上述第1金属膜或上述第2金属膜形成，并且相互分离地配置，

上述连接部分将上述第1金属部分与上述第2金属部分电连接。