[发明专利]包括用于UV LED阵列的厚膜层的散热器，以及形成UV LED阵列的方法

权利要求书

1.一种紫外线LED阵列，所述紫外线LED阵列包括：

散热器，所述散热器包括(i)基座散热器元件，以及(ii)施加至所述基座散热器元件的厚膜层；以及

多个紫外线LED元件，所述多个紫外线LED元件直接耦合至所述散热器的所述厚膜层。

2.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述多个紫外线LED元件使用焊膏直接耦合至所述散热器的所述厚膜层。

3.如权利要求2所述的紫外线LED阵列，其中所述焊膏包括铟。

4.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述多个紫外线LED元件使用导电环氧树脂直接耦合至所述散热器的所述厚膜层。

5.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述基座散热器元件是铝。

6.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述基座散热器元件和所述厚膜层的热膨胀系数基本上相同。

7.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述厚膜层使用丝网工艺施加至所述基座散热器元件。

8.如权利要求7所述的紫外线LED阵列，其中在将所述厚膜层施加至所述基座散热器元件之后，烧制包括所述基座散热器元件和所述厚膜层的所述散热器。

9.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述紫外线LED阵列是空气冷却的UV LED灯头。

10.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述多个紫外线LED元件是裸露的半导体裸片LED元件。

11.如权利要求1所述的紫外线LED阵列，其中所述多个紫外线LED元件是封装的半导体裸片LED元件。

12.一种形成紫外线LED阵列的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)将厚膜层选择性地施加至基座散热器元件的表面；

(b)烧制所述基座散热器元件以及施加至所述基座散热器元件的所述厚膜层，以形成散热器；以及

(c)将多个UV LED元件直接附接至所述散热器的所述厚膜层。

13.如权利要求12所述的方法，其中步骤(c)包括使用焊膏将所述多个UV LED元件直接附接至所述散热器的所述厚膜层。

14.如权利要求12所述的方法，其中步骤(c)包括使用包括铟的焊膏将所述多个UV LED元件直接附接至所述散热器的所述厚膜层。

15.如权利要求12所述的方法，其中步骤(c)包括使用导电环氧树脂将所述多个UV LED元件直接附接至所述散热器的所述厚膜层。

16.如权利要求12所述的方法，其中步骤(a)包括使用丝网工艺将所述厚膜层选择性地施加至所述基座散热器元件的所述表面。

17.如权利要求12所述的方法，其中所述形成的紫外线LED阵列是空气冷却的UV LED灯头。

18.如权利要求12所述的方法，其中步骤(a)包括通过一系列步骤将所述厚膜层施加至所述基座散热器元件的所述表面，所述一系列步骤包括(a1)将介电层施加至所述基座散热器元件的所述表面，(a2)将导电层施加至所述介电层，以及(a3)将阻焊层施加至所述导电层。

19.如权利要求12所述的方法，其中在步骤(c)中附接的所述多个紫外线LED元件是裸露的半导体裸片LED元件。

20.一种形成紫外线LED阵列的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)将厚膜介电层选择性地施加至基座散热器元件的表面；

(b)将厚膜导电层选择性地施加至在步骤(a)中施加至所述基座散热器元件的所述表面的所述厚膜介电层；

(c)将阻焊层选择性地施加至在步骤(b)中施加至所述厚膜介电层的所述表面的所述厚膜导电层；以及

(d)将多个UV LED元件附接至所述阻焊层。