[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：

具有下述式(1)～式(3)所示的结构单元的共聚物，

交联剂，

有机酸催化剂，以及

溶剂；

所述交联剂的含有比例相对于所述共聚物为1质量％～50质量％，

式中，R¹各自独立地表示氢原子或甲基，R²表示碳原子数1～3的亚烷基，A表示保护基，R³表示具有四元环～七元环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基，R⁴表示至少1个氢原子被氟基取代、并且还可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状或环状的有机基。

2.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：

具有下述式(1)所示的结构单元、下述式(4)所示的结构单元和下述式(3)所示的结构单元的共聚物，

交联剂，

有机酸催化剂，以及

溶剂；

所述交联剂的含有比例相对于所述共聚物为1质量％～50质量％，

式中，R¹各自独立地表示氢原子或甲基，R²表示碳原子数1～3的亚烷基，A表示保护基，Y表示-O-基或-NH-基，R¹⁰表示至少1个氢原子可以被氟基或氯基取代、且可以具有苯氧基作为取代基的碳原子数1～12的直链状或支链状的烷基或羟基烷基，R⁴表示至少1个氢原子被氟基取代、并且还可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状或环状的有机基。

3.根据权利要求1或2所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)所示的结构单元为下述式(1a)所示的结构单元、下述式(1b)所示的结构单元、下述式(1c)所示的结构单元或下述式(1d)所示的结构单元，

式中，R¹和R²与所述式(1)的R¹和R²含义相同，2个R⁵各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，R⁶表示甲基或乙基，b表示0～3的整数，R⁷表示碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基、或碳原子数1～6的直链状或支链状的烷氧基烷基，R⁸表示碳原子数1～6的直链状或支链状的烷氧基，R⁹表示氢原子、或碳原子数2～6的直链状或支链状的烷氧基羰基。

4.根据权利要求1或2所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述共聚物的重均分子量为1500～20000。

5.一种抗蚀剂图案的形成方法，其包含下述工序：将权利要求1～4中任一项所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在基板上并进行烘烤，形成厚度1nm～25nm的抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂溶液并进行加热，形成抗蚀剂膜的工序；利用选自KrF准分子激光、ArF准分子激光和远紫外线中的放射线，经由光掩模对所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；以及在所述曝光后利用显影液进行显影的工序。