[发明专利]MEMS换能器、电子设备和集成电路

权利要求书

1.一种MEMS换能器，包括：

一个柔性膜层和一个基底，其中所述柔性膜层沿着多个支撑边缘以相对于所述基底固定的关系被支撑，所述多个支撑边缘限定一个大体上由所述支撑边缘定界的膜区域，所述柔性膜层还包括设置在第一支撑边缘和第二邻近的支撑边缘之间的至少一个未固定部分，其中邻近的支撑边缘被设置成使得能够绘制与所述第一支撑边缘重合的线，所述线将在顶点处与所绘制的与所述第二邻近的支撑边缘重合的线相交，所述未固定部分被设置在所述顶点处或所述顶点附近；其中“一个大体上由所述支撑边缘定界的膜区域”被解释为要求所述支撑边缘沿着膜区域的周界的至少75％，以相对于基底固定的关系支撑该膜区域。

2.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中所述柔性膜层包括四个支撑边缘和四个顶点，所述支撑边缘限定一个具有正方形或矩形形状的膜区域，且其中在所述顶点中的每个处设置一个未固定部分。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中在所述膜区域中设置多个缝，所述缝限定多个梁。

4.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中所述多个缝被设置在一个应力释放区域中，所述应力释放区域位于膜的覆盖所述基底的腔的区域的侧向外部。

5.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中每个梁限定一个在横向于所述支撑边缘的方向上延伸的笔直的路径。

6.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中每个梁限定一个位于所述梁的第一端点和第二端点之间的路径，所述路径包括至少一个方向改变。

7.根据权利要求6所述的MEMS换能器，其中每个梁包括第一横向部分、第二横向部分以及连接部分，所述第一横向部分在横向于支撑边缘的第一方向上延伸，所述第二横向部分在平行于所述第一方向的方向上延伸，所述连接部分在所述第一横向部分和第二横向部分之间延伸。

8.根据权利要求7所述的MEMS换能器，其中所述连接部分在所述第一横向部分和第二横向部分之间正交地延伸。

9.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中弯曲梁是S形的或Z形的。

10.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中所述多个梁沿着能够平行于所述支撑边缘所限定的线以规则间隔定位。

11.根据权利要求3所述的MEMS换能器，其中所述多个梁是相同的。

12.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述柔性膜层包括晶体材料或多晶材料。

13.根据权利要求12所述的MEMS换能器，其中所述柔性膜层包括氮化硅。

14.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，包括一个背板结构，其中所述柔性膜层相对于所述背板结构被支撑。

15.根据权利要求14所述的MEMS换能器，其中所述背板结构包括穿过所述背板结构的多个孔。

16.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述换能器包括电容式传感器。

17.根据权利要求1或2所述的MEMS换能器，其中所述换能器包括麦克风。

18.根据权利要求16所述的MEMS换能器，还包括读出电路系统。

19.根据权利要求18所述的MEMS换能器，其中所述读出电路系统能够包括模拟电路系统和/或数字电路系统。