[发明专利]具有具形态学属性的孔的制品及其制造方法在审
申请号: | 201780055422.0 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN109843819A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | A·科瓦卢比亚斯加拉米罗;金宇辉;F·A·卡拉莫四世;E·A·库克森科瓦;D·W·小莱弗斯克;G·A·皮希;A·B·肖瑞;R·S·瓦格纳 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C03C15/00 | 分类号: | C03C15/00;B23K26/00;C03C23/00;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/40;B23K26/55 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张璐;项丹 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 玻璃基 第一表面 内壁 形态学 半导体封装件 表面粗糙度Ra 第二表面 凹陷 制造 开口 延伸 | ||
1.一种制品,其包括:
玻璃基基材,其包括第一表面、第二表面、以及从第一表面延伸的至少一个孔,其中:
所述至少一个孔包括内壁,所述内壁的表面粗糙度Ra小于或等于1μm;
所述至少一个孔在第一表面处存在具有第一直径的第一开口;
基于玻璃基基材的平均厚度,第一平面由玻璃基基材的第一表面限定;并且
凹陷深度与所述至少一个孔的第一直径的比值小于或等于0.007,其中,从第一平面到所述至少一个孔的第一开口处的第一表面测量凹陷深度。
2.如权利要求1所述的制品,其中:
所述至少一个孔是从第一表面延伸到第二表面的穿孔,使得具有第二直径的第二开口存在于第二表面上;
基于玻璃基基材的平均厚度,第二平面由玻璃基基材的第二表面限定;并且
第二凹陷深度与所述至少一个孔的第二直径的比值小于或等于0.007,其中,从第二平面到所述至少一个孔的第二开口处的第二表面测量第二凹陷深度。
3.如前述权利要求中任一项所述的制品,其中,凹陷深度与所述至少一个孔的第一直径的比值小于或等于0.005。
4.如前述权利要求中任一项所述的制品,其中,内壁的表面粗糙度Ra在0.1μm至1μm的范围内。
5.如前述权利要求中任一项所述的制品,其中,所述至少一个孔的圆度小于或等于5μm。
6.如前述权利要求中任一项所述的制品,其中:
所述至少一个孔是穿孔,使得所述至少一个孔在第二表面上存在具有第二直径的第二开口;
第一直径与第二直径之间的差小于或等于2μm;
所述至少一个孔的圆度小于或等于5μm;
第一直径和第二直径各自在5μm至250μm的范围内;并且
玻璃基基材的平均厚度与第一直径和第二直径中的至少一者的纵横比在1:1至15:1的范围内。
7.如权利要求6所述的制品,其中:
所述至少一个孔包含具有腰部直径的腰部;并且
所述至少一个孔的腰部直径大于或等于第一直径和第二直径中的最大者的80%。
8.如权利要求6所述的制品,其中:
所述至少一个孔包含具有腰部直径的腰部;并且
所述腰部直径在第一直径和第二直径中的最大者的20%至100%的范围内。
9.一种制品,其包括:
玻璃基基材,其包括第一表面、第二表面、以及从第一表面和第二表面中的至少一者延伸的至少一个孔,其中:
所述至少一个孔包括内壁,所述内壁的表面粗糙度Ra小于或等于1μm;
所述至少一个孔包含在第一表面处的具有第一直径的第一开口;并且
第一直径在5μm至250μm的范围内。
10.如权利要求9所述的制品,其中,内壁的表面粗糙度Ra小于或等于0.3μm。
11.如权利要求9或10所述的制品,其中,所述至少一个孔的第一直径在5μm至100μm的范围内。
12.一种半导体封装件,其包括:
如前述权利要求中任一项所述的制品,所述制品在所述至少一个孔中设置有导电材料;和
半导体装置,其与设置在所述至少一个孔中的导电材料电耦合。
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