[发明专利]用于X射线成像的源光栅在审
申请号: | 201780055442.8 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN109688930A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | T·扬森;R·普罗克绍 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | A61B6/00 | 分类号: | A61B6/00;G21K1/06;G03F1/22;G02B5/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李光颖;王英 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源光栅 光栅结构 强度分布 非均匀 干涉型 线缆 暴露 | ||
1.一种用于干涉型X射线成像线缆的源光栅结构(G0),当暴露于X射线辐射时在所述光栅结构的表面(S)后面生成非均匀强度分布。
2.如权利要求1所述的光栅结构,所述强度分布具有远离所述表面(S)的边缘(E1、E2)的至少一个局部最大值。
3.如权利要求1或2所述的光栅结构,包括一组吸收元件(AE),所述一组吸收元件被布置在周期图案中以形成所述表面(S),所述一组吸收元件包括至少两个吸收元件,一个吸收元件处于所述边缘的近端,并且一个吸收元件处于所述边缘的远端,其中,近端吸收元件的材料密度高于远端近端元件的材料密度。
4.根据权利要求1或2所述的光栅结构,包括一组吸收元件(AE),所述一组吸收元件被布置在周期图案中以形成所述表面,所述一组吸收元件包括至少两个吸收元件,一个吸收元件处于所述边缘(E1、E2)的近端,并且一个吸收元件处于所述边缘(E1、E2)的远端,至少一个近端吸收元件具有比远端近端元件的垂直于所述表面的深度更大的垂直于所述表面的深度。
5.如权利要求1或2所述的光栅结构,具有非均匀占空比分布。
6.如权利要求5所述的光栅结构,其中,所述占空比分布具有远离所述表面的所述边缘的至少一个局部最大值。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的光栅结构,其中,所述光栅被配置为在至少一个方向上补偿足跟效应。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的光栅结构,其中,所述强度分布在沿着X射线成像系统的旋转轴的方向上减小。
9.一种成像系统(IS),包括:
X射线源(XR);
X射线敏感探测器(D);
所述X射线源与所述X射线敏感探测器(D)之间的检查区域,所述检查区域用于接收要被成像的对象(OB);
如前述权利要求1-8中的任一项所述的源光栅结构(G0),当所述对象(OB)驻留在所述成像区域中时,所述源光栅结构(G0)被布置在所述X射线源(XR)与所述对象(OB)之间。
10.如权利要求9所述的成像系统,所述成像系统是旋转的成像系统,具体地是计算机断层摄影成像系统。
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