[发明专利]用于减小面积的最小轨道标准单元电路有效
申请号: | 201780056384.0 | 申请日: | 2017-09-14 |
公开(公告)号: | CN109791929B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | J·J·徐;M·巴达洛格鲁;杨达 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/118 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;罗利娜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 减小 面积 最小 轨道 标准 单元 电路 | ||
1.一种电路,包括:
第一金属层;以及
第二金属层;
所述第一金属层包括:
第一半轨道;
第一电压轨,设置在所述第一半轨道上,其中所述第一电压轨具有大于一(1)的高宽比,使得所述第一电压轨向上延伸到所述第二金属层中,并且所述第一电压轨被配置为向所述电路提供第一电压;
第二半轨道;
第二电压轨,设置在所述第二半轨道上并且基本上平行于所述第一电压轨,其中所述第二电压轨具有大于一(1)的高宽比,使得所述第二电压轨向上延伸到所述第二金属层中,并且所述第二电压轨被配置向所述电路提供小于所述第一电压的第二电压;以及
多个轨道,设置在所述第一半轨道与所述第二半轨道之间并且基本上平行于所述第一半轨道和所述第二半轨道。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述多个轨道包括四(4)个轨道。
3.根据权利要求1所述的电路,还包括设置在一个或多个对应有源区上的一个或多个栅极触点,所述一个或多个对应有源区被形成在所述第一半轨道与所述第二半轨道之间并且基本上平行于所述第一半轨道和所述第二半轨道。
4.根据权利要求3所述的电路,其中所述一个或多个栅极触点包括设置在一个或多个对应栅极上并且与所述一个或多个对应栅极对准的一个或多个栅极触点,其中选择性蚀刻阻挡件被设置在与所述一个或多个对应栅极中的每个栅极相对应的源极和漏极上,使得对应的栅极触点不能电耦合到对应的所述源极和漏极。
5.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压轨的宽度少于被设置在所述电路中的金属线的宽度的三(3)倍;以及
所述第二电压轨的宽度少于被设置在所述电路中的所述金属线的所述宽度的三(3)倍。
6.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压轨的宽度少于被设置在所述电路中的金属线的宽度的两(2)倍;以及
所述第二电压轨的宽度少于被设置在所述电路中的所述金属线的所述宽度的两(2)倍。
7.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压轨的宽度约等于被设置在所述电路中的金属线的宽度;以及
所述第二电压轨的宽度约等于被设置在所述电路中的所述金属线的所述宽度。
8.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压包括源电压;以及
所述第二电压包括地电压。
9.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压轨的高宽比约等于二(2);以及
所述第二电压轨的高宽比约等于二(2)。
10.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压轨的高宽比约等于三(3);以及
所述第二电压轨的高宽比约等于三(3)。
11.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一电压轨的高宽比约等于四(4);以及
所述第二电压轨的高宽比约等于四(4)。
12.根据权利要求1所述的电路,包括等于约十(10)纳米(nm)的技术节点尺寸。
13.根据权利要求1所述的电路,所述电路被集成到集成电路(IC)中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的