[发明专利]激光烧蚀介电材料

权利要求书

1.对支撑在基材上的介电层图案化的方法，其中，所述方法包括：通过使介电层暴露于激光能量以促进烧蚀至少一部分介电层来烧蚀介电层，改进在于：所述介电层由包含选自以下的聚合物的组合物形成：聚脲、聚氨酯和聚酰腙。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物包含：重复的二异氰酸酯单体和选自下组的单体：胺端接的砜、羟端接的砜及它们的混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物包含重复的二酰肼单体和重复的2-羟基烷基连接的二醛单体。

4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在所述介电层和所述基材之间的至少一层中间层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述组合物包含溶解或分散在溶剂系统中的聚合物，并且通过将所述组合物施加到所述基材、或基材上的中间层，并在约50℃至约250℃的温度下加热所述组合物约5分钟至约30分钟来形成所述介电层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，使所述介电层暴露于波长约100nm至约850nm且脉冲率约1Hz至约4000Hz的激光能量。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述烧蚀在所述介电层中产生图案。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述图案包括选自以下的开口：线、空隙和通道。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述线和空隙的宽度小于约200微米。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述通道的直径小于约700微米。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述基材选自：硅、SiGe、SiO₂、Si₃N₄、SiON、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、氮化钽、Ti₃N₄、铪、HfO₂、钌、磷化铟、珊瑚、黑金刚石和玻璃基材。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述介电层具有一定厚度，并且所述烧蚀在所述介电层中产生不延伸跨越介电层整个厚度的开口。

13.一种结构，该结构包含：

微电子基材，选自：硅、SiGe、SiO₂、Si₃N₄、SiON、铝、钨、硅化钨、砷化镓、锗、钽、氮化钽、Ti₃N₄、铪、HfO₂、钌、磷化铟、珊瑚、黑金刚石和玻璃基材；以及

所述基材上的介电层，所述介电层由包含选自以下的聚合物的组合物形成：聚脲、聚氨酯和聚酰腙，所述介电层：

具有上表面和下表面，并且上表面远离微电子基材，下表面邻近微电子基材；并且

包含形成于介电层中的至少一个开口，所述至少一个开口在上表面处具有上边缘，在所述至少一个开口的所述上边缘处或附近、或者所述上边缘处和附近存在所述聚合物的激光烧蚀残余物。

14.如权利要求13所述的结构，其中，所述聚合物包含：重复的二异氰酸酯单体和选自以下的单体：胺端接的砜、羟端接的砜及它们的混合物。

15.如权利要求13所述的结构，其中，所述聚合物包含重复的二酰肼单体和重复的2-羟基烷基连接的二醛单体。

16.如权利要求13所述的结构，还包括在所述介电层和所述基材之间的至少一层中间层。

17.如权利要求13所述的结构，其中，所述至少一个开口选自：线、空隙和通道。