[发明专利]用于写入持久性的自适应并发

权利要求书

1.一种由存储系统执行的用于所述存储系统中的写入持久性的自适应并发的方法，包括：

根据从多个写入过程中选择的写入过程来将数据写入存储系统，所选择的写入过程是至少部分地基于要被写入所述存储系统中的数据量来选择的，其中，所述多个写入过程中的各个写入过程指示与所述数据的文件信息相关联的inode何时被锁定以及与所述数据的文件信息相关联的inode何时未锁定，以及其中，所述多个写入过程中的一者包括：

在所述inode未锁定的情况下将所述数据传输到所述存储系统中；

将与所述数据的文件信息相关联的inode锁定在存储器中；

在所述inode被锁定时更新所述inode中的所述文件信息以提交所述数据；以及

解锁所述inode。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述写入过程的选择包括响应于写入请求中的数据小于阈值数据量而选择第一写入过程，所述第一写入过程包括：

在所述inode被锁定时在非易失性随机存取存储器即NVRAM中更新所述inode以将所述数据传输到所述NVRAM中，其中后台写入过程将所述数据从所述NVRAM刷新到闪存。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述写入过程的选择包括响应于写入请求中的数据大于阈值数据量且所述写入请求用于串行写入而选择第二写入过程，所述第二写入过程包括：

在所述inode被锁定时在NVRAM中更新所述inode以在所述NVRAM中提交所述数据，其中在锁定所述inode之前将所述数据传输到所述NVRAM中，以及后台写入过程用于将所述数据从所述NVRAM刷新到闪存。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述写入过程的选择包括响应于写入请求中的数据大于阈值数据量且所述写入请求用于多个并行写入而选择第三写入过程，所述第三写入过程包括：

在锁定所述inode之前，绕过NVRAM而将所述数据传输到所述存储系统的闪存，其中在所述inode被锁定的情况下更新所述inode并且提交所述数据。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

将所述数据传输到所述存储系统中包括在锁定所述inode之前作为前台过程将所述数据写入NVRAM，并作为后台过程将所述数据从所述NVRAM刷新到所述存储系统的闪存。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

将所述数据传输到所述存储系统中包括在锁定所述inode之前作为前台过程绕过NVRAM将所述数据写入所述存储系统的闪存。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，更新所述文件信息包括写入NVRAM中的数据结构，并且还包括：

作为后台过程，通过所述数据结构解析数据覆写。

8.一种有形非暂态计算机可读介质，其上具有指令，当由处理器执行时，所述指令使处理器执行包括以下的方法：

接收用于将数据写入存储系统的写入请求；

根据从多个写入过程中选择的写入过程来将所述数据写入所述存储系统，所选择的写入过程是至少部分地基于要被写入所述存储系统中的数据量来选择的，其中，所述多个写入过程中的各个写入过程指示与所述数据的文件信息相关联的inode何时被锁定以及与所述数据的文件信息相关联的inode何时未锁定，以及其中，所述多个写入过程中的一者包括：

在所述inode未锁定的情况下将所述数据传输到所述存储系统中；

将与所述数据的文件信息相关联的inode锁定在存储器中；

在所述inode被锁定时更新所述inode中的所述文件信息以提交所述数据；以及

解锁所述inode。