[发明专利]使用过氧化氢作为主掺杂剂的共伴气体或吹扫气体进行原位清洁以尽量减少离子源中的积碳

权利要求书

1.一种用于改善离子注入性能的离子源组件，所述离子源组件包括：

离子源腔室；

源气体供应源，其配置成向所述离子源腔室提供分子碳源气体；

源气体流控制器，其配置成在离子注入期间控制分子碳源气体流向所述离子源腔室；

激发源，其配置成激发所述分子碳源气体，在其中形成碳离子和原子碳；

引出电极，其配置成从所述离子源腔室中引出所述碳离子，在其中形成离子束；

过氧化氢共伴气体供应源，其配置成向所述离子源腔室提供预定浓度的过氧化氢气体；

过氧化氢共伴气体流控制器，其配置成在非注入期间控制所述过氧化氢气体作为吹扫气体流向所述离子源腔室，其中所述过氧化氢气体配置成在所述离子源腔室内分解并与来自所述离子源腔室中的所述分子碳源气体的所述原子碳反应，其中在所述离子源腔室内形成碳氢化合物；以及

真空泵系统，其配置成从所述离子源腔室中除去碳氢化合物，其中，减少所述离子源腔室内的原子碳沉积并且延长所述离子源腔室的使用寿命。

2.如权利要求1所述的离子源组件，其中，所述分子碳源气体包括甲苯。

3.如权利要求1所述的离子源组件，其中，所述分子碳源气体和所述过氧化氢气体依序引入所述离子源腔室。

4.如权利要求1-3中任一项所述的离子源组件，其中，所述源气体流控制器和所述过氧化氢共伴气体流控制器为分开的控制器。

5.如权利要求1-3中任一项所述的离子源组件，其中，所述源气体流控制器和所述过氧化氢共伴气体流控制器为单个控制器。

6.如权利要求1-3中任一项所述的离子源组件，其中，所述分子碳源气体和所述过氧化氢气体通过分开的入口供应到所述离子源腔室。

7.如权利要求1-3中任一项所述的离子源组件，其中，所述分子碳源气体和所述过氧化氢气体通过共同的入口供应到所述离子源腔室。

8.如权利要求7所述的离子源组件，其中，所述分子碳源气体和所述过氧化氢气体从单一来源供应到所述离子源腔室。

9.如权利要求1-3中任一项所述的离子源组件，其被布置成使得所述过氧化氢气体与所述分子碳源气体反应产生碳氢化合物、一氧化碳和二氧化碳中的一种或多种。

10.如权利要求1-3中任一项所述的离子源组件，进一步包括装置，所述装置用于将惰性气体引入所述离子源腔室并使所述惰性气体离子化，在其中防止所述离子源腔室的阴极表面氧化。

11.如权利要求10所述的离子源组件，其中，所述惰性气体包括氩。