[发明专利]具有提高的写入能力的存储器和设备有效
| 申请号： | 201780057118.X | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109791788B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | P·拉杰;S·K·古普塔;R·萨胡;L·霍拉·瓦克瓦迪 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C5/02;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 提高 写入 能力 存储器 设备 | ||
1.一种存储器，包括：
存储器核芯，具有多个存储器单元；
第一写入辅助电路，被配置为辅助向所述存储器核芯的所述多个存储器单元中的第一组写入；以及
第二写入辅助电路，被配置为辅助向所述存储器核芯的所述多个存储器单元中的第二组写入。
2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路位于所述存储器核芯的相对侧边上，以及其中第一边缘单元位于所述第一写入辅助电路和所述存储器核芯之间，以及第二边缘单元位于所述第二写入辅助电路和所述存储器核芯之间。
3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器单元中的来自所述第一组的一个或多个存储器单元以及所述存储器单元中的来自所述第二组的一个或多个存储器单元被设置在列中。
4.根据权利要求3所述的存储器，进一步包括位线，所述位线可操作地耦合至所述存储器单元的在所述列中的每个存储器单元。
5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路可操作地耦合至所述位线。
6.根据权利要求5所述的存储器，其中，所述第一写入辅助电路被配置为将施加至所述位线的电压升压，以向来自所述第一组的所述一个或多个存储器单元中的存储器单元写入，以及所述第二写入辅助电路被配置为将施加至所述位线的电压升压，以向来自所述第二组的所述一个或多个存储器单元中的存储器单元写入。
7.根据权利要求5所述的存储器，其中，所述第一写入辅助电路包括第一升压电容器，所述第一升压电容器被配置为将施加至所述位线的电压升压，以向来自所述第一组的所述一个或多个存储器单元中的存储器单元写入，以及所述第二写入辅助电路包括第二升压电容器，所述第二升压电容器被配置为将施加至所述位线的电压升压，以向来自所述第二组的所述一个或多个存储器单元中的存储器单元写入。
8.根据权利要求5所述的存储器，进一步包括行解码器，所述行解码器被配置为激活所述存储器单元的在所述列中的存储器单元，并且使能所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路中的写入辅助电路以辅助向所述存储器单元中的已激活存储器单元写入。
9.一种设备，包括：
至少一个处理器；
存储器阵列，包括：
存储器核芯，所述存储器核芯具有多个存储器单元；
第一写入辅助电路，所述第一写入辅助电路被配置为辅助向所述存储器核芯的所述多个存储器单元中的第一组写入；以及
第二写入辅助电路，所述第二写入辅助电路被配置为辅助向所述存储器核芯的所述多个存储器单元中的第二组写入。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路位于所述存储器核芯的相对侧边上，以及其中第一边缘单元在所述第一写入辅助电路和所述存储器核芯之间，以及第二边缘单元在所述第二写入辅助电路和所述存储器核芯之间。
11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述存储器单元中的来自所述第一组的一个或多个存储器单元以及所述存储器单元中的来自所述第二组的一个或多个存储器单元被设置在列中。
12.根据权利要求11所述的设备，进一步包括位线，所述位线可操作地耦合至所述存储器单元的在所述列中的每个存储器单元。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述第一写入辅助电路和所述第二写入辅助电路可操作地耦合至所述位线。
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