[发明专利]垂直混合自旋扭矩转换(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器的共享源极线架构

权利要求书

1.一种混合自旋扭矩转换自旋轨道扭矩(STT-SOT)存储器设备，包括：

字线；

栅极电极，所述栅极电极耦接到绝缘材料和所述字线；

源极线，所述源极线耦接到源极电极；

漏极电极；

存储器单元，所述存储器单元耦接到所述漏极电极；

SOT位线；和

STT位线，所述STT位线耦接到所述存储器单元，其中所述源极线、所述SOT位线和所述STT位线全部设置在单独平面中并且彼此平行。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括SOT层，所述SOT层耦接到所述SOT位线、所述存储器单元和所述漏极电极。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述SOT层设置在与所述SOT位线相同的平面内。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述SOT位线包括纵向部分和分支部分。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述分支部分耦接到所述SOT层。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述纵向部分与所述SOT层间隔开。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述存储器单元和所述漏极电极竖直对齐。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述存储器单元与所述漏极电极竖直偏移。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元和所述漏极电极竖直对齐。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元与所述漏极电极竖直偏移。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元包括自由层，所述自由层垂直于所述位线磁化。

12.一种混合STT-SOT存储器设备，包括：

第一字线；

第一栅极电极，所述第一栅极电极耦接到绝缘材料和所述第一字线；第二字线；

第二栅极电极，所述第二栅极电极耦接到所述第二字线和所述绝缘材料；

源极线，所述源极线耦接到源极电极；第一漏极电极；

第二漏极电极；

第一存储器单元，所述第一存储器单元耦接到所述第一漏极电极；

第二存储器单元，所述第二存储器单元耦接到所述第二漏极电极；SOT位线；和

STT位线，所述STT位线耦接到所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，其中所述第一字线和所述第二字线在相同平面内交错。

13.根据权利要求12所述的设备，还包括第一SOT层，所述第一SOT层耦接到所述SOT位线、所述第一存储器单元和所述第一漏极电极。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一SOT层设置在与所述SOT位线相同的平面内。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述SOT位线包括纵向部分和第一分支部分。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一分支部分耦接到所述第一SOT层。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述纵向部分与所述第一SOT层间隔开。

18.根据权利要求15所述的设备，还包括第二SOT层，所述第二SOT层耦接到所述SOT位线、所述第二存储器单元和所述第二漏极电极。

19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第二SOT层设置在与所述SOT位线相同的平面内。