[发明专利]相关电子开关结构及应用

说明书

当前所公开的技术涉及器件及其制造方法，该器件包括：第一金属层Mn；形成在该第一金属层Mn上的衬底，该衬底具有暴露金属层的一部分的腔；以及形成在腔中的相关电子材料(1304，1306)。或者该器件包括：衬底(1308)；形成在衬底(1308)上的金属层Mn，该金属层Mn具有中断；以及形成在中断中的相关电子材料(1304，1306)层和金属通孔VIAn+1。

技术领域

本技术涉及相关电子开关器件，包括相关电子开关器件的应用。

背景技术

例如，集成电路器件(例如电子开关器件)可以在各种电子器件类型中找到。例如，存储器和/或逻辑器件可以包含可用于计算机、数码相机、蜂窝电话、平板设备、个人数字助理等的电子开关。与电子开关器件相关的因素，例如可以包含在存储器和/或逻辑器件中，设计师可能会对这些因素感兴趣，例如，考虑对任何特定应用的适用性可以包括物理尺寸、存储密度、工作电压和/或功耗。设计师可能感兴趣的其他示例性因素可以包括制造成本、易制造性、可扩展性和/或可靠性。此外，似乎对呈现更低功率和/或更高速度的特性的存储器和/或逻辑器件的需求在不断增加。

附图说明

所要求的保护的主题在说明书的结尾部分特别指出并明确要求保护。然而，无论是关于组织和/或操作方法，还是其对象、特征和/或优点，如果与附图一起阅读，最好参考以下具体实施方式来理解：

图1A示出了根据实施例的包含相关电子材料的相关电子开关器件的示例性实施例的框图。

图1B描绘了相关电子开关的示例性符号。

图2是根据实施例的相关电子开关的等效电路的示意图。

图3示出了根据实施例的相关电子开关的电流密度与电压相比的图表。

图4A到4E是图示根据实施例的使用不同结构尺寸的相关电子材料(CEM)形成的CES器件的图。

图4F是图示CEM电阻率随掺杂而变化的图表。

图5A到5D是图示根据实施例的由CEM形成的器件的掺杂部分的不同方法的图。

图6A到6E是图示根据实施例的在无明显开关区域的单个体材料(bulk material)中使用相关电子材料CEM形成的器件的图。

图7A、7B和7C是图示根据实施例的由带有三个或更多个端子的CEM形成的器件的图。

图8A和8B是图示根据实施例的由其状态可能受到曝光影响的CEM形成的器件的图。

图9A和9B是图示根据实施例的包括由CEM形成的器件的结构的图，该CEM具有的电阻或阻抗状态在操作电路中不会改变。

图10A到10D示出了根据实施例的由CEM形成的器件的结构。

图11是根据实施例的包括形成在半导体上的一层或多层CEM的结构的图。

图12A到12C是根据特定实施例的将逻辑晶体管与由CEM形成的器件集成在一起的结构的图。

图13A到13G是根据特定实施例的描绘由沉积CEM形成的结构的图。

图14和15是根据特定实施例的形成特定器件的工艺流程图。

具体实施方式