[发明专利]光电转换元件及固态摄像装置有效
申请号: | 201780058083.1 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN109791934B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 川人祥二 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人静冈大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/355;H04N5/374 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 潘树志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 固态 摄像 装置 | ||
1.一种光电转换元件,其特征在于,具备:
第一导电型的基体区域;
第二导电型的表面埋设区域,选择性地埋设于所述基体区域的上部,并与所述基体区域构成光电二极管;
第二导电型的第一电荷存储区域,埋设于所述基体区域的上部的所述表面埋设区域附近,并存储从所述表面埋设区域传输来的由所述光电二极管生成的第一信号电荷;
第二导电型的第二电荷存储区域,与所述第一电荷存储区域分开地埋设于所述基体区域,并存储从所述表面埋设区域传输来的由所述光电二极管生成的第二信号电荷;
第二导电型的引导区域,以具有公共区域的方式设置于所述表面埋设区域的上部的一部分,并具有分支结构,所述分支结构将所述第一信号电荷从该公共区域所构成的公共的电荷移动路径引导至所述第一电荷存储区域,并将所述第二信号电荷经过所述公共的电荷移动路径引导至所述第二电荷存储区域,所述引导区域的杂质密度高于所述表面埋设区域的杂质密度;
第一路径选择机构,沿所述引导区域的一个分支设置于限定在所述表面埋设区域和所述第一电荷存储区域之间的第一电荷移动路径的一部分上,用于控制从所述表面埋设区域向所述第一电荷存储区域的所述第一信号电荷的传输;以及
第二路径选择机构,沿所述引导区域的另一个分支设置于限定在所述表面埋设区域和所述第二电荷存储区域之间的第二电荷移动路径的一部分上,用于控制从所述表面埋设区域向所述第二电荷存储区域的所述第二信号电荷的传输,
所述光电转换元件在一帧中重复进行多次在第一时间从所述表面埋设区域向所述第一电荷存储区域传输所述第一信号电荷、并在比所述第一时间短的第二时间从所述表面埋设区域向所述第二电荷存储区域传输所述第二信号电荷。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述第一路径选择机构具有绝缘栅结构,并以对构成该绝缘栅结构的栅电极施加的电压来控制在设定于所述第一路径选择机构的电荷移动路径中传输的所述第一信号电荷的移动。
3.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,
所述第二路径选择机构具有绝缘栅结构,并以对构成该绝缘栅结构的栅电极施加的电压来控制在设定于所述第二路径选择机构的电荷移动路径中传输的所述第二信号电荷的移动。
4.根据权利要求3所述的光电转换元件,其特征在于,
设定于所述第一路径选择机构的电荷移动路径的耗尽电位的变化以对设置于所述第二路径选择机构的所述栅电极施加的电压进行诱导,在设定于所述第一路径选择机构的电荷移动路径中传输的所述第一信号电荷的移动通过所述耗尽电位的变化来进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的