[发明专利]自适应存储器单元写入条件

权利要求书

1.一种存储装置的电子电路，其特征在于，包括：

一读出放大器，用于产生作为电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的数据读取值；

一测量电路，用于获得与先前写入所述RRAM单元的状态下的所述RRAM单元的电阻相关的测量结果；

一确定电路，用于基于与所述RRAM单元的电阻相关的所述测量结果来确定所述RRAM单元的写入条件，其中所述测量结果包括具有比所述RRAM单元的所述数据读取值更高的位分辨率的数字值；以及

一写入驱动器，可操作连接至所述确定电路，以基于所确定的写入条件对所述RRAM单元进行写入。

2.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述确定电路确定所述写入条件包括所述确定电路生成表示待用于所述写入条件的值的信号。

3.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述确定电路确定所述写入条件包括所述确定电路生成表示多个可用值中待用于所述写入条件的可用值的信号。

4.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述确定电路确定所述写入条件包括所述确定电路生成待用于所述写入条件的值的变化。

5.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，

所述RRAM单元用于存储二进制值；以及

与所述RRAM单元的所述电阻相关的所述测量结果为经测量的具有三个或更多个可能值的值。

6.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，

所述RRAM单元为单级单元；

所述数据读取值具有一位比特；以及

所述RRAM单元的单元特性为模拟值或具有多于一位比特的数字值。

7.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，

所述RRAM单元为多级单元；以及

所述数据读取值具有两位或更多位比特。

8.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述写入条件包括电压极性、电压电平、脉冲的定时、多个脉冲的定时、脉冲的数量、或电流限制中的一种。

9.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述测量结果包括RRAM单元电流、RRAM单元电压、RRAM单元电阻或所述RRAM单元的读出时间中的一种。

10.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述RRAM单元的所述写入条件是同时基于所述RRAM单元的所述测量结果和所述数据读取值。

11.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，所述写入驱动器用于：

当所述RRAM单元是具有低电阻的高阻态RRAM单元时，使用第一设置条件写入所述RRAM单元；

当所述RRAM单元是具有高电阻的高阻态RRAM单元时，使用强于所述第一设置条件的第二设置条件写入所述RRAM单元；

当所述RRAM单元是具有低电阻的低阻态RRAM单元时，使用第一重置条件写入所述RRAM单元；以及

当所述RRAM单元是具有高电阻的低阻态RRAM单元时，使用弱于所述第一重置条件的第二重置条件写入所述RRAM单元。

12.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，还包括：

一查找表，用于基于所述测量结果查找所述写入条件。

13.如权利要求1所述的存储装置的电子电路，其特征在于，还包括一模拟电路，所述模拟电路用于基于所述读出放大器的操作来通过字线电压控制来控制所述RRAM单元的写入电流。